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溶胶-凝胶法制备掺镉ZnO薄膜及光学禁带研究
1
作者
陈瀚
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第4期605-607,673,共4页
主要研究掺镉ZnO薄膜的光学禁带。采用溶胶-凝胶(Sol—Gel)旋转涂覆法,在Si(100)上生长掺镉ZnO薄膜,对薄膜的XRD分析表明,掺镉ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,并沿C轴择优取向生长。通过实验优化出本工艺条件下的较佳参数:退火温...
主要研究掺镉ZnO薄膜的光学禁带。采用溶胶-凝胶(Sol—Gel)旋转涂覆法,在Si(100)上生长掺镉ZnO薄膜,对薄膜的XRD分析表明,掺镉ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,并沿C轴择优取向生长。通过实验优化出本工艺条件下的较佳参数:退火温度为800℃,x(Cd)-6%~8%;以普通玻璃为基片的透射光谱表明掺镉ZnO薄膜的禁带宽度约为3.22eV,比纯ZnO晶体禁带宽度3.30eV明显减小,适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。
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关键词
掺镉zno薄膜
溶胶-凝胶法
透射光谱
光学禁带
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职称材料
题名
溶胶-凝胶法制备掺镉ZnO薄膜及光学禁带研究
1
作者
陈瀚
机构
四川机电职业技术学院
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第4期605-607,673,共4页
文摘
主要研究掺镉ZnO薄膜的光学禁带。采用溶胶-凝胶(Sol—Gel)旋转涂覆法,在Si(100)上生长掺镉ZnO薄膜,对薄膜的XRD分析表明,掺镉ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,并沿C轴择优取向生长。通过实验优化出本工艺条件下的较佳参数:退火温度为800℃,x(Cd)-6%~8%;以普通玻璃为基片的透射光谱表明掺镉ZnO薄膜的禁带宽度约为3.22eV,比纯ZnO晶体禁带宽度3.30eV明显减小,适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。
关键词
掺镉zno薄膜
溶胶-凝胶法
透射光谱
光学禁带
Keywords
Cd-doped
zno
thin film
Sol-Gel
photoluminescnce spectra
optical bandgap
分类号
TM215.3 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
溶胶-凝胶法制备掺镉ZnO薄膜及光学禁带研究
陈瀚
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011
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