掺Bi石英光纤的γ射线辐照和温度影响特性

采用改进的化学气相沉积法制备了尺寸为10/130μm的掺Bi单包层石英光纤,把光纤分成若干组之后置于不同剂量的60Coγ辐射源下辐照,测试了光纤在辐照前后的吸收谱和荧光谱,并测试了光纤在全温度范围(-40—70?C)下荧光强度的变化.实验结果表明,辐照后700,800 nm处的吸收峰显著增强,这是由于辐照导致更多Bi近红外活性中心的生成.976 nm光抽运不同剂量辐照后的光纤,中心位于1230 nm的荧光谱没有明显变化,验证了掺Bi石英光纤用于太空及辐照环境下光通信的可能性.在全温度范围内,分析了荧光强度的变化规律,为今后掺Bi光纤激光器的稳定工作提供了数据基础.