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一种直热式TDP辐射板的制造方法(续)(技术可行性研究报告)
1
作者
吴国华
《中国搪瓷》
2002年第1期11-18,共8页
5 直热式TDP板用搪瓷基板瓷釉配方设计 5.1 瓷釉配方设计 5.1.1 重结晶釉的选择 如上所述,普通搪瓷板软化为550℃到650℃,是不能用作电阻膜层的基板的。为此。
关键词
直热式
TDP辐射
板
制造方法
搪瓷基板
瓷釉
配方
下载PDF
职称材料
题名
一种直热式TDP辐射板的制造方法(续)(技术可行性研究报告)
1
作者
吴国华
机构
重庆市硅酸盐研究所
出处
《中国搪瓷》
2002年第1期11-18,共8页
文摘
5 直热式TDP板用搪瓷基板瓷釉配方设计 5.1 瓷釉配方设计 5.1.1 重结晶釉的选择 如上所述,普通搪瓷板软化为550℃到650℃,是不能用作电阻膜层的基板的。为此。
关键词
直热式
TDP辐射
板
制造方法
搪瓷基板
瓷釉
配方
分类号
TQ173.739 [化学工程—搪瓷工业]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
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1
一种直热式TDP辐射板的制造方法(续)(技术可行性研究报告)
吴国华
《中国搪瓷》
2002
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