可读取EPROM存储内容的智能型EPROM擦除器

EPROM是一种可以迅速编程,其存储内容可以长期保持的理想器件。然而,一旦编程出现错误,要用紫外线来擦除EPROM就比较费事,通常需要在紫外线下晒5～15分钟才能擦除干净。由于EPROM的型号不同且存储内容的多少往往差别很大,故所需的准确擦除时间是个未知数。实践中,完全是凭经验来掌握。因此,紫外线擦除照射时间总是过长。

90nm浮栅型P-FLASH器件总剂量电离辐射效应研究

研究了基于90 nm e FLASH工艺制备的浮栅型P-Channel FLASH单元的总剂量电离辐射效应,主要研究了FLASH单元随总剂量增加的变化规律及编程/擦除时间对FLASH单元抗总剂量能力的影响。研究表明:随着总剂量的增加,浮栅型P-FLASH器件"开"态驱动能力(Idsat)、"关"态漏电(Ioff)及跨导(gm)未发生明显退化,但"擦除/编程"态的阈值窗口明显减小,且呈现"编程"态阈值电压(VTP)下降幅度较"擦除"态(VTE)快的特征;编程/擦除时间的增加会导致FLASH单元阈值电压漂移量,对编程态FLASH单元,编程时间的增大导致阈值电压漂移量增大,而对于擦除态器件FLASH单元,擦除时间的增加导致阈值电压漂移量减小。综上所述,总剂量的增加仅引起浮栅型P-FLASH单元阈值电压的漂移,即浮栅内电荷的转移;编程/擦除时间的增加导致FLASH单元阈值电压漂移量的差异,主要是由于编程/擦除应力时间的增加导致隧道氧化层及界面处陷阱电荷的引入所引起的。

In:Mn:Fe:LiNbO_3晶体光存储性能研究

在Mn∶Fe∶LiNbO3晶体中加入抗光折变元素铟,使用Czochralski法生长In∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体,并对晶体进行氧化还原处理,测试了晶体紫外-可见吸收光谱.结果表明:铟的掺入使晶体吸收边发生移动,生长态晶体吸收边稍向紫移,氧化处理晶体吸收边紫移程度较大,还原处理晶体吸收边红移.通过二波耦合实验,使用输出功率30 mW的He-Ne激光器进行单光写入与擦除实验,测试了晶体记录过程中的响应时间与擦除时间.研究结果表明:In3+的掺入可通过提高擦除时间与响应时间之比,较大地提高晶体的动态范围;用生长态摩尔分数1%的In∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体进行擦除时,衍射效率达到30%,衍射效率不随时间变化.

氦离子注入掺铈铌酸锶钡晶体平面光波导和它的光折变性质

室温下用2.8MeV氦离子注入在掺铈铌酸锶钡晶体上形成了平面光波导。用棱镜耦合法观察到了波导的暗模。计算的折射率分布表明在离子注入产生的损伤层中晶体的折射率减小，其中正常折射率减小约3．42％，反常折射率减小为2．55％。由PIPR方法拟合的波导中的折射率分布与TRIM’96给出的注入离子的密度分布基本一致。两波耦合实验表明离子注入可以延长折射率光栅的擦除时间。

耐高温再生光纤光栅的生长规律

擦除温度和再生温度相同时,在800~950℃温度区间内,光纤光栅的擦除时间和再生完成时间均随处理温度呈指数衰减。利用再生完成时间拟合函数,得到紫外载氢标准通信光纤光栅的再生阈值温度为805℃,并且当处理温度在855~905℃之间时,不同温度下制得的再生光纤光栅的反射率大小服从高斯分布,定量描述了光纤光栅再生的整个过程。提出了一种制作高反射率再生光纤光栅的方法,当擦除温度和再生温度不同时,该方法可将紫外载氢标准通信光纤上的再生光纤光栅的反射率从20%提高到43%。