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一种新的调节分栅闪存存储器擦除能力的方法
1
作者
康军
曹子贵
《集成电路应用》
2021年第4期12-13,共2页
基于分栅闪存存储器的擦除能力是评估其单元性能的关键参数,阐述现有制程调节分栅闪存存储器擦除能力的方法。提供一种新的方法通过控制侧壁氧化物的剩余厚度来调节分栅快闪存储器擦除能力,并讨论其优势所在。
关键词
闪存存储器
环绕氧化物
分栅单元
擦除能力
下载PDF
职称材料
题名
一种新的调节分栅闪存存储器擦除能力的方法
1
作者
康军
曹子贵
机构
上海华虹宏力半导体制造有限公司
出处
《集成电路应用》
2021年第4期12-13,共2页
基金
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500223)。
文摘
基于分栅闪存存储器的擦除能力是评估其单元性能的关键参数,阐述现有制程调节分栅闪存存储器擦除能力的方法。提供一种新的方法通过控制侧壁氧化物的剩余厚度来调节分栅快闪存储器擦除能力,并讨论其优势所在。
关键词
闪存存储器
环绕氧化物
分栅单元
擦除能力
Keywords
flash memory
wrap around oxide
cell split-gate
erase capability
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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1
一种新的调节分栅闪存存储器擦除能力的方法
康军
曹子贵
《集成电路应用》
2021
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