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题名微电子陶瓷封装的金属化技术
被引量:6
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作者
张炳渠
赵平
戴增荣
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所封装专业部
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出处
《真空电子技术》
2003年第4期41-44,共4页
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文摘
由于陶瓷具有优良的综合特性 ,被广泛用于高可靠性微电子封装 ,而多层陶瓷的金属化技术是微电子陶瓷封装的关键技术之一。本文介绍了多层陶瓷共烧工艺技术 ,开展了 3种不同粒度的W粉与陶瓷的匹配烧结试验及金属化强度测试 ,首先通过W粉粒径分布测试 ,确定了 3种试验W粉的粒度 ;其次进行了收缩率匹配实验 ,确定 3号W粉与陶瓷A的匹配性最好 ,平均翘曲度为 0 .0 0 5 ,2号W粉与陶瓷B的匹配性最好 ,平均翘曲度为 0 .0 0 8;最后测试了金属化抗拉强度 ,3种粒度的W粉金属化层都能与陶瓷B形成好的结合强度。实验表明 。
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关键词
AL2O3陶瓷
共烧工艺
粒度
收缩率匹配性
金属化强度
微电子陶瓷封装
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Keywords
Al 2O 3 ceramics
Co-fired techniques
Granularity
Shrinkage rate match
Metallization strength
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分类号
TN105
[电子电信—物理电子学]
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