采用改进的温梯法生长氟化钙晶体

对现有的晶体生长温梯法进行改进,将炉内温场分为坩埚底部温度高于坩埚顶部温度的化料区和坩埚底部温度低于坩埚顶部温度的温梯生长区两部分。通过对坩埚相对于温场位置的控制,获得适宜进行熔体均一化和晶体生长条件。生长了尺寸为φ135mm×150mm氟化钙(CaF2)晶体,生长的CaF2晶体质量较好,位错密度<330/mm2,从190nm到9000nm透过良好,紫外200nm处和红外9μm处透过率可达80%以上。