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混合SETMOS结构单元及其仿真实现方法 被引量:2
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作者 李芹 蔡理 孟锋 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2005年第7期24-26,30,共4页
阐述了SETMOS的结构、特性及应用。基于正统理论,分析了几种仿真混合SETMOS电路模型各自的优缺点,并给出了改进的MIB模型的仿真方法,该模型对于混合SETMOS模拟和数字电路的仿真及设计都较为精确。
关键词 混合SETMOS结构单元 库仑振荡 负微分电阻器件 改进的mib模型
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