真空沿面放电产生气体的质谱分析

真空沿面放电机理研究中一般认为电介质表面产生气体对沿面放电发展产生重要影响。采用长度为200ns的高压振荡脉冲对氧化铝陶瓷和聚四氟乙烯两种材料试品进行真空沿面放电实验,通过质谱分析法对真空沿面放电产生气体进行分析。实验分析获知真空沿面放电产生气体主要成分为H2、O2、N2、CO、CO2、H2O以及CxHy烃分子碎片,同时获知聚四氟乙烯在沿面放电中发生分解产生CxFy碎片。获得了放电产生气体数量与放电能量的实验关系。对真空沿面放电产生气体的来源和机制进行了分析讨论,真空沿面放电中气体产生机制并非国际上通常认为的电介质表面气体脱附单一机制,而是具有包括脱附、溶解气体逸出和材料分解在内的复合机制。

真空沿面放电过程聚四氟乙烯分解特性研究

采用质谱分析法对真空沿面放电聚四氟乙烯分解产物进行研究,检测出σ断裂出现的聚四氟乙烯分解产物质量数峰值,证明了真空沿面放电过程中聚四氟乙烯存在表面分解现象。观测到闪络发生前聚四氟乙烯的超前分解现象,并从真空沿面放电产生气体来源出发对此现象进行了解释。给出了真空沿面闪络聚四氟乙烯分解产物数量的计算方法,虽实验检测结果与理论计算值存在误差,但对定量研究真空沿面放电产生气体提供了初步的线索。

极端远紫外光刻的等离子体光源及其光学性质研究进展

现代技术的飞速发展需要集成电路不断小型化,因而开发下一代光刻光源以满足小型化的要求成为当前的一项紧迫任务。目前工业界确定的下一代光刻光源是波长为13.5nm的极端远紫外(EUV)光源,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸,氙和锑材料的等离子体光源被认为是这种光源的最佳候选者。文章在介绍EUV光刻原理和EUV光源基本概念的基础上,讨论了目前研究得最多、技术最成熟的激光产生的和气体放电产生的等离子体EUV光源,对EUV光源的初步应用进行了简单介绍,并着重对氙和锑材料产生的等离子体发射性质和吸收性质的实验与理论研究进展进行了详细介绍与讨论。目前的理论研究进展表明,统计物理模型还不能很好地预测氙和锑等离子体的发射与吸收光谱,因此迫切需要发展细致能级物理模型,以得到更为精确的等离子体光学性质参数,并用于指导实验设计,提高EUV转换效率。