设计并制备了一种基于SOI(silicon on insulator)材料的MEMS压阻式高温压力敏感芯片。在设计方面,通过理论计算与仿真,对敏感芯片各项参数进行了优化;在工艺方面,设计了基于标准MEMS工艺的制作流程,并创新性地提出了"器件区下沉&qu...设计并制备了一种基于SOI(silicon on insulator)材料的MEMS压阻式高温压力敏感芯片。在设计方面,通过理论计算与仿真,对敏感芯片各项参数进行了优化;在工艺方面,设计了基于标准MEMS工艺的制作流程,并创新性地提出了"器件区下沉"工艺步骤,以提高敏感芯片工艺制备的可靠性。采用316L不锈钢基座对MEMS压力敏感芯片进行封装后,完成了温度、压力复合环境标定测试,结果显示其具有较高的测量精度,并可在20~220℃温度范围内稳定工作,具备在高温恶劣环境中应用的前景。展开更多
从集成加速度传感器敏感芯片结构参数的设计入手,分析了支撑梁厚度、电容初始间隙、质量块等敏感芯片结构参数对传感器灵敏度、非线性等性能的影响。同时利用结构分析软件ANSYS进行仿真分析,并对优化后的敏感芯片结构参数进行验证,结果...从集成加速度传感器敏感芯片结构参数的设计入手,分析了支撑梁厚度、电容初始间隙、质量块等敏感芯片结构参数对传感器灵敏度、非线性等性能的影响。同时利用结构分析软件ANSYS进行仿真分析,并对优化后的敏感芯片结构参数进行验证,结果表明:该结构的敏感芯片使加速度传感器灵敏度能够达到10 m V/gn以上,非线性优于2%。展开更多
随着微机电系统(MEMS)技术的发展,出现了高g值加速度敏感芯片,但因所受惯性力巨大,其综合性能难以提升,特别是过载和交叉耦合问题尤为突出。利用有限元法对带有微梁的高g值加速度敏感结构进行了仿真分析,给出了结构优化的设计方法,在保...随着微机电系统(MEMS)技术的发展,出现了高g值加速度敏感芯片,但因所受惯性力巨大,其综合性能难以提升,特别是过载和交叉耦合问题尤为突出。利用有限元法对带有微梁的高g值加速度敏感结构进行了仿真分析,给出了结构优化的设计方法,在保证灵敏度的同时,显著提高芯片固有频率和抗过载能力。在芯片的质量块与边框连接处设计了具有补偿作用的凹槽,有效减小了敏感芯片的交叉耦合。所设计量程为105g的敏感芯片满量程输出约为21.42 m V,固有频率约1.025 MHz,交叉耦合约4.24%,过载可达6.5倍量程以上。展开更多
对某导航终端导航芯片进行了传导敏感度测试研究。通过电流注入探头把连续波干扰信号耦合到电源端口,然后观测信号输出管脚的时域信号及导航分析软件的分析结果来判定导航芯片是否敏感。通过对电流注入探头进行S参数校准分析精确得出注...对某导航终端导航芯片进行了传导敏感度测试研究。通过电流注入探头把连续波干扰信号耦合到电源端口,然后观测信号输出管脚的时域信号及导航分析软件的分析结果来判定导航芯片是否敏感。通过对电流注入探头进行S参数校准分析精确得出注入到电源端口的干扰信号幅值。通过该测试方法得到芯片电源端口10 k Hz^400 MHz的敏感度曲线。通过研究发现敏感度曲线与电源端口和信号输出端口的插入损耗趋势一致,验证了测试结果与校准方法的正确性。该测试的扩展不确定度小于CISPR规定值,该测试方法可为导航芯片级传导敏感度测试中出现的敏感现象提供判定依据。展开更多
文摘设计并制备了一种基于SOI(silicon on insulator)材料的MEMS压阻式高温压力敏感芯片。在设计方面,通过理论计算与仿真,对敏感芯片各项参数进行了优化;在工艺方面,设计了基于标准MEMS工艺的制作流程,并创新性地提出了"器件区下沉"工艺步骤,以提高敏感芯片工艺制备的可靠性。采用316L不锈钢基座对MEMS压力敏感芯片进行封装后,完成了温度、压力复合环境标定测试,结果显示其具有较高的测量精度,并可在20~220℃温度范围内稳定工作,具备在高温恶劣环境中应用的前景。
文摘从集成加速度传感器敏感芯片结构参数的设计入手,分析了支撑梁厚度、电容初始间隙、质量块等敏感芯片结构参数对传感器灵敏度、非线性等性能的影响。同时利用结构分析软件ANSYS进行仿真分析,并对优化后的敏感芯片结构参数进行验证,结果表明:该结构的敏感芯片使加速度传感器灵敏度能够达到10 m V/gn以上,非线性优于2%。
文摘随着微机电系统(MEMS)技术的发展,出现了高g值加速度敏感芯片,但因所受惯性力巨大,其综合性能难以提升,特别是过载和交叉耦合问题尤为突出。利用有限元法对带有微梁的高g值加速度敏感结构进行了仿真分析,给出了结构优化的设计方法,在保证灵敏度的同时,显著提高芯片固有频率和抗过载能力。在芯片的质量块与边框连接处设计了具有补偿作用的凹槽,有效减小了敏感芯片的交叉耦合。所设计量程为105g的敏感芯片满量程输出约为21.42 m V,固有频率约1.025 MHz,交叉耦合约4.24%,过载可达6.5倍量程以上。
文摘对某导航终端导航芯片进行了传导敏感度测试研究。通过电流注入探头把连续波干扰信号耦合到电源端口,然后观测信号输出管脚的时域信号及导航分析软件的分析结果来判定导航芯片是否敏感。通过对电流注入探头进行S参数校准分析精确得出注入到电源端口的干扰信号幅值。通过该测试方法得到芯片电源端口10 k Hz^400 MHz的敏感度曲线。通过研究发现敏感度曲线与电源端口和信号输出端口的插入损耗趋势一致,验证了测试结果与校准方法的正确性。该测试的扩展不确定度小于CISPR规定值,该测试方法可为导航芯片级传导敏感度测试中出现的敏感现象提供判定依据。