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SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误实验研究
1
作者
齐超
林东生
+4 位作者
陈伟
杨善潮
王桂珍
龚建成
马强
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期157-160,共4页
定性分析了SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误,认为功能错误阈值与敏感配置位数无关。设计了两种敏感配置位数相差悬殊的由查找表和D触发器构成的移位寄存器链,在"强光一号"加速器上开展了FPGA瞬时电离辐射效应实验研究,对比了...
定性分析了SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误,认为功能错误阈值与敏感配置位数无关。设计了两种敏感配置位数相差悬殊的由查找表和D触发器构成的移位寄存器链,在"强光一号"加速器上开展了FPGA瞬时电离辐射效应实验研究,对比了各功能输出在不同剂量率下的功能错误情况,结果未发现敏感配置位数对功能错误阈值有任何影响,验证了定性分析结论。
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关键词
瞬时电离辐射
功能错误
敏感配置位
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职称材料
题名
SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误实验研究
1
作者
齐超
林东生
陈伟
杨善潮
王桂珍
龚建成
马强
机构
西北核技术研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期157-160,共4页
文摘
定性分析了SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误,认为功能错误阈值与敏感配置位数无关。设计了两种敏感配置位数相差悬殊的由查找表和D触发器构成的移位寄存器链,在"强光一号"加速器上开展了FPGA瞬时电离辐射效应实验研究,对比了各功能输出在不同剂量率下的功能错误情况,结果未发现敏感配置位数对功能错误阈值有任何影响,验证了定性分析结论。
关键词
瞬时电离辐射
功能错误
敏感配置位
Keywords
Errors
Gamma rays
Ionizing radiation
Shift registers
分类号
TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN792 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误实验研究
齐超
林东生
陈伟
杨善潮
王桂珍
龚建成
马强
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
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