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SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误实验研究
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作者 齐超 林东生 +4 位作者 陈伟 杨善潮 王桂珍 龚建成 马强 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期157-160,共4页
定性分析了SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误,认为功能错误阈值与敏感配置位数无关。设计了两种敏感配置位数相差悬殊的由查找表和D触发器构成的移位寄存器链,在"强光一号"加速器上开展了FPGA瞬时电离辐射效应实验研究,对比了... 定性分析了SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误,认为功能错误阈值与敏感配置位数无关。设计了两种敏感配置位数相差悬殊的由查找表和D触发器构成的移位寄存器链,在"强光一号"加速器上开展了FPGA瞬时电离辐射效应实验研究,对比了各功能输出在不同剂量率下的功能错误情况,结果未发现敏感配置位数对功能错误阈值有任何影响,验证了定性分析结论。 展开更多
关键词 瞬时电离辐射 功能错误 敏感配置位
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