一种应用于CMOS图像传感器数字双采样ADC的PGA电路

提出了一种应用于CMOS图像传感器数字双采样模数转换器(ADC)的可编程增益放大器(PGA)电路。通过增加失调采样电容,采集PGA运放和电容失配引入的失调电压,在PGA复位阶段和放大阶段进行相关双采样和放大处理,通过数字双采样ADC将两个阶段存储电压量化,并在数字域做差,降低了PGA电路引入的固定模式噪声。采用0.18μm CMOS图像传感器专用工艺进行仿真,结果表明:在输入失调电压-30~30mV变化区间,提出的PGA的输出失调电压可以降低到1mV以下,相比传统PGA输出失调电压随输入失调电压单倍线性关系而言大大降低了列固定模式噪声。

一种具有高填充因数和动态数字双采样技术的CMOS图像传感器(英文)

介绍了基于0.35μm工艺设计的单片CMOS图像传感器芯片.该芯片采用有源像素结构,像素单元填充因数可达到43%,高于通常APS结构像素单元30%的指标.此外还设计了一种数字动态双采样技术,相对于传统的双采样技术(固定模式噪声约为0.5%),数字动态双采样技术具有更简洁的电路结构和更好抑制FPN噪声的效果.传感器芯片通过MPW计划采用Chartered0.35μm数模混合工艺实现.实验结果表明芯片工作良好,图像固定模式噪声约为0.17%.

基于CMOS图像传感器列级ADC的数字双采样

提出了一种用于CMOS图像传感器的数字双采样10位列级模数转换器.比较器采用失调消除技术,数字双采样通过加/减计数器实现,使复位信号和像素信号的量化结果在数字域做差,消除了像素输出产生的固定模式噪声;列电路由一个比较器、一个计数器和一个锁存选通器组成.采用GSMC 0.18μm标准CMOS工艺对电路进行设计,一个完整的A/D转换时间为11μs,使用Cadence spectre进行仿真,结果表明:ADC的信噪失真比为57.86dB,有效位数9.32,列电路功耗为58.24μW,由比较器的失调和延迟产生的误差可以减小50%.

CMOS图像传感器固定模式噪声抑制新技术。

针对有源像素(APS)CMOS图像传感器中的固定模式噪声(FPN),设计了一种动态数字双采样的噪声抑制新技术;该技术比普通双采样技术具有更佳的抑制效果,其电路结构简单,适合于像素尺寸不断缩小的CMOS图像传感器发展趋势。通过MPW计划,采用Chartered0.35μmCMOS工艺制作了测试ASIC芯片,试验结果表明动态数字双采样技术有效抑制了FPN噪声。

基于0．35μLm工艺设计的APSCMOS图像传感器

介绍了一种基于CHRT公司0．35μm工艺而设计的CMOS图像传感器。该图像传感器采用APS像素结构，像素阵列256×256，包含有列放大器、阵列扫描、串行接口、控制逻辑和ADC等模块。该图像传感器采用动态数字双采样(DDDS)的新方法消除FPN噪音并已经通过MPW采用CHRT0．35μm salicide 2P4M工艺流片。

基于Matlab建模的数字相关双采样两步单斜ADC研究

提出并仿真验证了一种用于互补金属半导体氧化物图像传感器的10位数字相关双采样列级两步单斜模数转换器.数字相关双采样通过减法器实现,使像素复位信号与像素曝光信号的量化结果在数字域作差,降低了列级读出电路中非理想因素的影响;比较器采用基尔伯特单元,避免了传统两步单斜ADC中因记忆电容的使用所导致的时钟馈通和斜坡斜率误差的问题.通过在Matlab中建模仿真验证,ADC的信噪失真比为61.4 dB,有效位为9.9 bit,量化周期为140个时钟周期.与传统10位数字相关双采样单斜ADC相比,可节省2170个时钟周期,同时其平均FPN较传统两步单斜结构可以降低0.81 LSB.