GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述

综合论述了GaAs和GaN微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性,简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法,给出了限幅低噪声放大器中限幅器的设计参考。

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室依托于中国电子科技集团第55研究所,主任高涛研究员,学术委员会主任委员郑有炓院士。重点实验室位于江苏省南京市,于1999年开始建设,2001年起试运行,2004年起正式运行。

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室依托于中国电子科技集团第55研究所,主任高涛研究员,学术委员会主任委员郑有炓院士。重点实验室位于江苏省南京市,于1999年开始建设。

微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室成立于1998年,围绕微波毫米波材料、器件、电路等方面开展探索性、创新性应用基础研究和关键技术研究,推动和引领国内本专业领域的技术进步。研究队伍:重点实验室有一支由归国留学人员、国内知名专家和具有多年研究经验的高级工程师组成的代表本学科国家水平、并在年龄和专业知识结构上配置合理的科研队伍。

瑞萨科技高性能硅锗单片微波集成电路

瑞萨科技公司（Renesas Technology）推出一种用于无线局域网终端发射功率放大器的高性能2．4GHz／5GHz双模硅锗（SiGe）单片微波集成电路（MMIC）HA31010。HA31010的主要特性如下：2AGHz／5GHz双模操作，在单个芯片中集成了支持IEEE802．1lb／g无线局域网标准的2．4GHz频段放大器电路，和支持IEEE802．11a标准的5GHz频段放大器电路；

采用电流复用拓扑的宽带收发一体多功能电路

基于标准的GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）单片微波集成电路（MMIC）工艺设计并制备了一款宽带收发一体多功能电路芯片。该多功能芯片包含了功率放大器、低噪声放大器和收发开关。放大器采用电流复用拓扑结构实现了低功耗的目标。收发开关采用浮地结构避免了使用负电源。芯片在14~24 GHz工作频率的实测结果显示：接收支路噪声系数小于3.0 dB,增益大于18 dB,输入及输出电压驻波比（VSWR）均小于2.0,1 dB压缩点输出功率大于0 dBm,直流功耗为60 mW;发射支路增益大于21 dB,输入输出VSWR均小于1.8,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm,直流功耗为180 mW。芯片尺寸为2 600μm×1 800μm。该多功能收发电路的在片测试结果和仿真结果一致,性能达到了设计要求。

带数字驱动的高集成2～18GHz时延放大多功能MMIC

基于E/D15PHEMT工艺研制了一款2~18GHz用于相控阵雷达的时延放大多功能MMIC芯片。本芯片是一款集成了放大器、单刀双置开关、六位大波长时延器、数字驱动器等功能的多功能芯片,芯片尺寸为5mm×5mm。测试结果表明:发射接收增益皆大于-2dB,P-1在整个频带内达到12dBm。时延最小步进为10ps,最大时延量630ps,时延精度在发射和接收模式下为标称值的±4%,寄生调幅小于2dB。该芯片能够抗基于HBM的250V静电电压。

E/D GaAs PHEMT多功能MMIC设计

基于E/D GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了Ku波段多功能MMIC芯片。该MMIC集成了数字驱动器和微波电路,内含6bit数控移相器、6bit数控衰减器、3个低噪声放大器、4个数控单刀双掷开关、多个TTL数字驱动器。其中两个低噪声放大器采用了电流复用技术,总直流功耗小于275mW,实现了节能。测试结果表明:发射支路增益大于2dB,输出P1dB大于9dBm;接收支路增益大于10dB,输出P1dB大于7dBm,噪声系数小于8dB。相对移相误差均方根值(RMS)在发射和接收模式下均小于6°,附加调幅小于1.5dB;衰减误差RMS小于0.7dB,附加调相小于4°。

三种轴角/数字转换电路介绍

介绍了三种适用于自动控制工程领域的轴角/数字转换电路,重点介绍了用于高速、高精度定位系统的轴角/数字转换电路。

微波单片设计软件的研究及应用

论述了专用于微波单片设计软件的基本结构及原理 ,并以实际电路的仿真优化为例对其功能作了介绍。

单片集成视频滤波器改善图像质量

对于数字视频终端设备,如DTV、DVD、数字机顶盒等,良好的PCB布局和接地处理、采用性能优良的开关电源、对时钟电路进行合理设计等都对噪声有一定的抑制作用。对于带外噪声,在输出端增加一级低通滤波器是极为有效的办法。

基于GaAs E/D PHEMT工艺的6～10 GHz多功能MMIC

采用Ga As衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管（E/D PHEMT）工艺研制了一款6～10 GHz多功能微波单片集成电路（MMIC）。其集成了4个单刀双掷开关、6 bit数控移相器、6 bit数控衰减器、3个放大器和14 bit并口驱动电路。测试结果表明：接收支路增益大于8 d B,1 d B压缩点输出功率大于3 d Bm;发射支路增益大于1 d B,1 d B压缩点输出功率大于8 d Bm。移相64态均方根误差小于3°,衰减64态均方根误差小于1 d B。在工作频带内接收和发射两种状态下,输入输出驻波比均小于1.5∶1。经过版图优化后,芯片尺寸为3.5 mm×5.1 mm。该多功能MMIC可用于微波收发组件,对传输信号进行幅相控制。

高速UWB信号功率放大电路的研究与实现

介绍了利用微波单片集成电路(MMIC)器件实现提高超宽带高速信号功率的两种电路。这两种功率放大电路分别采用TC3331和HMC327芯片实现。工作带宽分别为0.6GHz和1GHz,功率增益分别为+30dB和+20dB。文章分析讨论了电路原理与设计方法,实际测试结果显示这两种放大电路具有良好的功率放大效果,可分别应用于不同的通信场合,是适合超宽带通信系统的功率放大电路。

半导体集成电路、单片和多片集成电路

Y2000-62566 01037152000年 IEEE 射频系统中的硅单片集成电路会议录,摘要=2000 IEEE topical meeting on Silicon monolithicintegrated circuits in RF systems,Digest of papers[会,英]/The IEEE Microwave Theory and Techniques Soci-ety.—IEEE,2000.—187P.(EC)本会议录收集了于2000年4月26～28日在德国Garmisch 召开的射频系统中硅单片集成电路会议上发表的44篇论文摘要,内容涉及毫米波系统,多层电路中的传输线与无源组件,异质结双极晶体管,硅接收机阵列中的 IC,平面电路,微机电系统,半导体器件。

共面紧凑型微波光子晶体在共面波导中的应用

提出一种地平面刻蚀共面紧凑型微波光子晶体(PBG)的共面波导结构,介绍了微波光子晶体的基本单元结构,并设计出具有90°弯折的共面波导样品。使用矢量网络分析仪测试该结构的散射参数,测量结果显示,其传输特性比普通的共面波导在高频部分具有较大的提高。同时,相比于传统的三维微波光子晶体,该结构具有导体损耗小,加工工艺简单,便于应用于光电封装和单片微波集成电路的特点。

发展我国毫米波半导体器件和MIMIC的技术路线探讨

本文回顾了毫米波半导体器件的历史,研究国外毫米波系统的发展趋势,分析国内市场需求,总结我们自己的经验,并得出相应意见。

微波集成电路、毫米波集成电路

Y2000-62351-103 0018175毫米波电路与前端设备=Session F:millimeter wavecircuits and front-end devices[会,英]//1999 IEEE GaAsIC Symposium.—103～120(PC)本部分收入3篇论文。题名为:日本的毫米波单片 GaAs 集成电路互连与封装技术发展趋势,40GHz多点视频分配系统(MVDS)收发两用机副载波终端用的高度集成毫米波集成电路(MMIC)芯片集,以 In-GaAs/InAlAs/InP 高电子迁移率晶体管(HEMT)

印制电路与集成电路

Y98-61460-102 9915098自动矢量伏特表的单片核心=A monolithic core for anautomotive vector voltmeter[会,英]/Fruett,F.& Fil-ho.C A.R.//1998 IEEE 2nd International CaracasConference on Devices,Circuits and Systems.—102～105(YG)