Flash存储器抗60Co γ射线总剂量能力的分析

为了比对分析多家厂商生产的NAND型Flash存储器的抗辐照能力和数据保持能力,选择了3种规格（代号为A,B和C）的商业级Flash存储器作为研究对象,设计了故障测试算法,研究了3种Flash存储器的抗^60Coγ射线总剂量的能力。首先研究了存储器经常出现的各种故障模型,并设计了相应的故障测试算法;其次搭建了以数字信号处理器（DSP）为核心的硬件测试电路;最后以^60Coγ射线作为器件的辐照源,利用设计好的故障测试算法对辐照环境下的Flash存储器在总剂量值每增加10 krad（Si）后进行一次故障检测。结果显示,B和C器件在总剂量值达到20 krad（Si）时开始出现故障,40 krad（Si）时出现数据的0→1翻转,70 krad（Si）时翻转率高于2%;A器件在40 krad（Si）时开始出现故障,70 krad（Si）时出现0→1翻转,翻转率为0.6%。从抗辐照能力和数据保持能力两个角度观察认为,商业级的A器件要优于B和C器件。