高精度SRAM端口时序参数测量电路的设计与实现

对一种普通的数字时间转换器（Digital-to-Time Converter,DTC）进行了改进,能实现对输入信号延时的两级调节,一级粗调,一级精调,在SMIC 130nm工艺下,调节范围为0~2.0ns,调节精度达到5ps,同时减少了一半的面积,优化了结构的非线性误差.利用改进后的DTC结构,设计了两种测量方案,分别实现了对SRAM输入端口的建立时间、保持时间及输出端口的数据读取时间的测量.仿真结果表明,该电路对SRAM各个端口时序参数测量的误差小于3.33%.