锯齿型GeSe纳米带的边缘态对整流效应的调控研究

锯齿型硒化锗(ZGeSeNR)是准一维纳米结构的材料,由于其具有特殊的维度特性及优异的电子特性而成为研究热点.本研究使用密度泛函理论和非平衡格林函数结合的方法,系统地研究了边缘结构对锯齿形硒化锗纳米带的电子结构及输运性质的影响.能带结构图显示边缘裸露的ZGeSeNR、P和S原子钝化边缘的ZGeSeNR具有导电的金属性质,用F,Cl,H原子和OH-根离子钝化处理边缘后的ZGeSeNR则表现出半导体性质.基于不同边缘结构的ZGeSeNR构建金属-半导体界面的两电极器件模型,计算出的器件电压-电流曲线证实了边缘态对整流效应的调控作用.特别是裸露-H原子钝化的锯齿型GeSe纳米带(H-ZGeSeNR)器件中的整流比可达到8.7×10^(5).改变该器件结构中散射区内钝化原子的数目来调控整流特性,最高可得到1.1×10^(7)的整流比.研究结果对设计ZGeSeNR纳米整流器提供了重要参考.

STM“接触”式测量中的整流效应

在利用扫描隧道显微镜(STM)对Ag-TCNQ薄膜进行“接触”式的I-V特性测量中,发现由于接触势垒引起的整流效应。这为有机分子在电子学的应用方面,提供一种新的思路,从而设计新的有机电子器件。

非线性气体振荡整流效应对翼尖涡的影响

以圆管内气体的非线性振荡理论和实验研究成果为基础 ,利用开口圆管中气体非线性振荡的整流效应 ,通过翼面开缝以及翼尖开口引入气体振荡 ,主要进行翼尖涡控制的实验研究。实验结果表明 ,翼面开缝和翼尖开口引入气体振荡在大迎角时对提高升力系数、增大机翼的稳定性有一定作用。同时 ,翼尖开口引入气体振荡能较好改善翼尖涡的位置和强度。对比翼面开缝以及无气体激振状态 ,翼尖涡在翼尖气体振荡条件下向翼尖外部移动了近 3/4个弦长 ,向上翼面方向移动了近

加偏置电场的双曲线量子阱中的光整流效应(英文)

用量子力学中密度矩阵算符理论导出了加偏置电场的双曲线量子阱中光整流系数的解析表达式.并以典型的GaAs双曲线量子阱为例进行了数值计算。研究结果表明,该势阱中的光整流系数与势阱的形状和偏置电场的强度有关。通过调节势阱参量a以及外加偏置电场,在该势阱中可获得一个大的光整流系数.

一种特殊的非对称量子阱中的光整流效应

运用量子力学密度矩阵算符理论,推导出在一种特殊非对称量子阱中的光整流系数的解析表达式。最后利用典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱进行数值计算,得到了系统的非线性光整流效应和量子阱的非对称性以及入射光子能量之间的变化规律,并在此特殊量子阱中得到了较大的光整流系数,从而为实验上制作较好的非线性材料提供了一种可行的途径。

碳纳米管膜/电解液界面的整流效应

对碳纳米管(CNT)膜/电解液(电解质溶液)界面的整流效应进行了研究。实验所用的碳纳米管用热灯丝化学气相沉积法(CVD)合成,整流效应通过分析其伏安特性来研究。结果发现,在室温下与一定浓度的电解液中,碳纳米管膜/电解液界面呈现出较强的整流效应,且该效应随电解液温度和浓度的增大而增强,重点讨论了碳纳米管膜/电解液界面整流效应的产生机制。

一种用于电子镇流器整流效应的检测方案

处于寿命晚期的高强度气体放电(High Intensity Discharge lamp,简称HID)灯的一个非常典型的特征就是整流效应,严重的整流效应会威胁到镇流器的可靠运行。现针对电子镇流器(Electronics Ballast,简称EB)最常用的桥式逆变电路,分析了出现整流效应前后,电路中若干元件的电气参数变化。由此提出了一种能够准确检测整流效应的方法,并在此基础上,提出了整流效应的应对措施,目的是在保证EB能可靠运行的前提下,尽量提高HID灯的使用寿命。通过仿真和实验,验证了所提方案的正确性和可行性。

非线性气体振荡整流效应在矩形机翼上的应用研究

在对圆管内气体的非线性振荡进行理论和实验研究的基础上,利用开口圆管非线性气体振荡的整流效应,通过流动显示及压力测量,对翼面分离流控制进行实验研究。研究结果表明,翼面开缝引入气体振荡有利于改善大迎角下翼面的压力分布,提高升力,增大机翼的稳定性,同时,不论采取何种开缝模式,这种输入能量的方式对提高其气动性能都有一定作用。

Si中场致光整流效应的研究

通过观测Si/Al肖特基势垒受光照时产生的光生电压与光波偏振方向和晶向的变化关系,发现了光生电压的各向异性规律,即光敏面不同点处光敏特性不同,并且有一定规律。经理论分析和实验数据曲线拟和,认为这是由于金属和半导体接触形成势垒,产生内建电场,电场的存在使晶体对称性被破坏,产生二阶非线性效应的光整流,光整流产生的直流电场又与内建电场相互作用的结果。

电子-声子相互作用对非对称Morse势阱中光整流效应的影响(英文)

从理论上研究了电子-声子相互作用对Morse势阱中光整流效应的影响。利用微扰论的方法求解在考虑电子-声子相互作用时Morse量子阱的波函数和能级,采用密度矩阵方法和迭代法得到光整流系数,以典型的GaAs/AlGaAs Morse势阱为例进行数值计算。数值结果表明在考虑电子-声子相互作用后,获得的光整流系数比仅考虑电子情况的大15%～30%左右。并且电子-声子相互作用使光整流系数峰值向高能方向偏移。因此要得到比较精确的结果,有必要考虑电子-声子相互作用的影响。

具有抗整流效应的HPS灯电子镇流器研究

大多数高强度气体放电(High IntensityDischarge,简称HID)灯在寿命后期均表现出整流效应,这将导致镇流器及其相关部件过载,必须采取适当的保护措施,以确保在整流效应出现时照明系统安全。主要介绍了高压钠灯(HighPressure SodiumLamp,简称HPS)在采用电子镇流器时所产生的整流效应及其带来的影响,并提出了检测及保护方法。

Pschl-Teller势阱中的光整流效应

本文用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了 Po ¨ schl- Teller势阱中的光整流系数的解析表达式 .考虑到在 Po ¨ schl- Teller势阱中存在两个可调参量 k和 λ,并且势阱的形状随着 k和 λ取值的不同而明显不同 ,从而其光整流系数也发生相应的变化 .因此我们可以通过调节 k和 λ的取值而获得 Po ¨ schl- Teller势阱中的光整流系数的变化规律 ,并找到其最大值 。

B/N掺杂类直三角石墨烯纳米带器件引起的整流效应

基于密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法,研究了硼(氮)非对称掺杂类直三角石墨烯纳米带器件的电子输运性能.计算结果表明:单个硼或氮原子取代类直三角石墨烯纳米带顶点的碳原子后,增强了体系的电导能力,并且出现了新颖的整流效应.分析表明:这是由于硼氮掺杂类直三角石墨烯纳米带器件在正负偏压下分子能级的移动方向和前线分子轨道空间分布的不对称而产生的.最重要的是,当左右类直三角石墨烯纳米带的顶端原子同时被硼和氮掺杂后,体系的整流效应显著增强,而且出现负微分电阻效应.

超晶格中直流和双频交流电场的整流效应

以弛豫时间近似下的玻尔兹曼方程为基础,研究了超晶格在外加直流和双模交流场中电子的输运行为,同时计算了几种特定情况下超晶格中电流随频率和场强幅值的变化关系,发现超晶格在外加直流和双模交流电场时内部电流随频率的变化是稳定的,而电流随场强幅值的变化是振荡衰减的.

超晶格中直流和双模交流电场的整流效应

以弛豫时间近似下的玻尔兹曼方程为基础 ,详细研究了超晶格在外加直流和双模交流场中电子的输运行为 ,并计算了几种特定情况下超晶格中电流随频率和场强幅值的变化关系 ,我们发现超晶格在外加直流和双模交流电流电场时内部电流随频率的变化是稳定的 。

酞菁铜衍生物LB膜／N－Si光伏电池的反常二极管整流效应

从表面态和材料电阻率的角度分析了酞菁铜衍生物ＬＢ膜光伏电池的反常整流效应，讨论了该效应与光生电流的关系，并介绍了消除反常现象提高光生电流的实验方法。

单锥纳米孔传感器整流效应的参数化研究

研究了单锥纳米孔的整流效应与纳米孔结构参数之间的关系。单锥纳米孔的整流比与KCl溶液的浓度密切相关。在浓度为0.01~1000 mol/m^3范围内,整流比先增加后减小,在浓度为0.1 mol/m^3时达到最大。随着纳米孔长度的增加,单锥纳米孔在浓度为0.1 mol/m^3时的整流比(Rf_0.1)逐渐增加。在纳米孔尖端直径为25~400 nm的范围内,Rf_0.1呈现出先增加后减小的趋势。随着纳米孔半锥角在6°~24°逐渐增加,Rf_0.1是逐渐减小的。

输水(油)管道入口整流效应的试验研究

供水 (油 )设备的入口形成的旋涡 ,会造成较强的脉动运动 ,从而影响流动品质 ,在一定程度上降低了输水效率 .在循环水系统中 ,脉动速度给循环水泵的工作状态带来不利 ,增加振动和噪音 .为此 ,笔者设计出一组整流器 ,旨在削减旋涡对输水的影响 ,并在一简易的透明输水管道中进行流态观察和测量 .试验结果表明 :本方法可以疏理流态 ,使脉动速度有较明显的减小 .在本实验的雷诺数范围内 。

金属卤化物灯和高压钠灯整流效应试验装置和电路的研究

根据标准GB7000.1-2007/IEC60598-1:2003《灯具第一部分:一般要求与试验》附录C中图C.3试验电路装置及标准要求,介绍了电路研究和装置制作,其中包括对试验线路的测量仪表要求和线路的可调电阻的制作,为贯彻标准GB7000.1-2007提供了金属卤化物灯和高压钠灯整流效应试验的指南。

薄膜宽度对于NiFe/Ta逆自旋霍尔效应影响的自动表征

通过分立模板镀膜法在同一块光刻版上设计了不同宽度的NiFe/Ta双层膜线条,采用磁控溅射镀膜制备样品。构建了自动化电测试系统实现批量测试样品的逆自旋霍尔电压信号。实验结果表明,样品宽度会影响测试电压信号的对称性和幅值,通过拟合得到信号的对称分量和反对称分量及其比值随着样品宽度的变化,并分析逆自旋霍尔电压和自旋整流电压的影响因素,发现随着样品宽度的减小,自旋整流效应带来的影响逐渐减小,且施加的微波磁场越大,这种变化越明显,其原因在于各向异性磁电阻对薄膜宽度的依赖性。研究结果对自旋电子器件的实用提供重要的设计依据和指导。