在整流—逆变系统中,功率开关器件的高频动作会产生巨大的dv/dt,di/dt,形成严重的电磁干扰(EMI)。为了预测进而抑制系统的共模传导电磁干扰,需要研究其建模和分析方法。通过与单相逆变器共模干扰模型进行对比、分析共模电磁干扰源和传...在整流—逆变系统中,功率开关器件的高频动作会产生巨大的dv/dt,di/dt,形成严重的电磁干扰(EMI)。为了预测进而抑制系统的共模传导电磁干扰,需要研究其建模和分析方法。通过与单相逆变器共模干扰模型进行对比、分析共模电磁干扰源和传播途径,构建了用于研究整流—逆变系统共模电磁干扰的等效电路。在10 k Hz^30 MHz频段,对整流器、逆变器以及系统的共模干扰进行了仿真和测试,预测结果与实测结果对比基本一致,证明了提出的共模电磁干扰等效电路模型及其分析方法的正确性。展开更多
为了给出多异端短路比的变化规律,本文基于CIGRE模型建立了两异端直流输电模型,在此基础上深入研究了整流站与逆变站临近的多直流落点系统短路比RNISCR(short circuit ratio of rectifier station near the inverter station system wit...为了给出多异端短路比的变化规律,本文基于CIGRE模型建立了两异端直流输电模型,在此基础上深入研究了整流站与逆变站临近的多直流落点系统短路比RNISCR(short circuit ratio of rectifier station near the inverter station system with multiple HVDC links)指标,并讨论了直流输送功率及电气距离对它的影响。该短路比指标是以往仅考虑受端的多馈入短路比的扩展。最后,PSCAD软件对两异端直流输电模型的仿真结果验证了该指标的有效性和准确性。展开更多
文摘在整流—逆变系统中,功率开关器件的高频动作会产生巨大的dv/dt,di/dt,形成严重的电磁干扰(EMI)。为了预测进而抑制系统的共模传导电磁干扰,需要研究其建模和分析方法。通过与单相逆变器共模干扰模型进行对比、分析共模电磁干扰源和传播途径,构建了用于研究整流—逆变系统共模电磁干扰的等效电路。在10 k Hz^30 MHz频段,对整流器、逆变器以及系统的共模干扰进行了仿真和测试,预测结果与实测结果对比基本一致,证明了提出的共模电磁干扰等效电路模型及其分析方法的正确性。
文摘为了给出多异端短路比的变化规律,本文基于CIGRE模型建立了两异端直流输电模型,在此基础上深入研究了整流站与逆变站临近的多直流落点系统短路比RNISCR(short circuit ratio of rectifier station near the inverter station system with multiple HVDC links)指标,并讨论了直流输送功率及电气距离对它的影响。该短路比指标是以往仅考虑受端的多馈入短路比的扩展。最后,PSCAD软件对两异端直流输电模型的仿真结果验证了该指标的有效性和准确性。