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基于斜向背散射偏振拉曼光谱的{100}c-Si面内应力分析
1
作者
孟田
柴俊杰
+3 位作者
马路路
常颖
曲传咏
仇巍
《实验力学》
CSCD
北大核心
2020年第2期183-189,共7页
复杂应力状态下应力分量的解耦分析对半导体的设计和制造具有重要意义。本文开展了方法学研究,首先建立了{100}晶面族单晶硅面内应力分量解耦分析模型,基于该模型,通过改变入射光和散射光的几何构型和偏振构型,可得到单晶硅拉曼频移与...
复杂应力状态下应力分量的解耦分析对半导体的设计和制造具有重要意义。本文开展了方法学研究,首先建立了{100}晶面族单晶硅面内应力分量解耦分析模型,基于该模型,通过改变入射光和散射光的几何构型和偏振构型,可得到单晶硅拉曼频移与应力分量的解析关系。在此基础上,提出了一种利用斜向背散射偏振拉曼光谱在不同倾角、偏振方向和样品旋转角度下开展原位拉曼探测实现应力分量解耦分析的实用技术。本文通过实验验证了该方法的可靠性和适用性。
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关键词
{100}晶面族单晶硅
斜向背散射
显微拉曼光谱
面内应力
几何与偏振构型
原文传递
题名
基于斜向背散射偏振拉曼光谱的{100}c-Si面内应力分析
1
作者
孟田
柴俊杰
马路路
常颖
曲传咏
仇巍
机构
天津大学机械工程学院力学系
天津市现代工程力学重点实验室
出处
《实验力学》
CSCD
北大核心
2020年第2期183-189,共7页
基金
国家自然科学基金(11827802,11890682,11772223)资助。
文摘
复杂应力状态下应力分量的解耦分析对半导体的设计和制造具有重要意义。本文开展了方法学研究,首先建立了{100}晶面族单晶硅面内应力分量解耦分析模型,基于该模型,通过改变入射光和散射光的几何构型和偏振构型,可得到单晶硅拉曼频移与应力分量的解析关系。在此基础上,提出了一种利用斜向背散射偏振拉曼光谱在不同倾角、偏振方向和样品旋转角度下开展原位拉曼探测实现应力分量解耦分析的实用技术。本文通过实验验证了该方法的可靠性和适用性。
关键词
{100}晶面族单晶硅
斜向背散射
显微拉曼光谱
面内应力
几何与偏振构型
Keywords
{100}c-Si
oblique backscattering
Micro-Raman spectroscopy
in-plane stress
geometry and polarization configuration
分类号
O348.1 [理学—固体力学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于斜向背散射偏振拉曼光谱的{100}c-Si面内应力分析
孟田
柴俊杰
马路路
常颖
曲传咏
仇巍
《实验力学》
CSCD
北大核心
2020
0
原文传递
已选择
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