电液3-UPS/S并联稳定平台参数振动特性分析

针对电液3-UPS/S并联稳定平台驱动液压缸的压力脉动所产生的参数振动,建立了稳定平台的参数振动方程并利用多尺度法求解了主共振响应与组合共振响应的一次近似解;分析了主共振与组合共振响应特性以及振动幅值在初始工作空间内的变化规律,最后采用四阶龙格库塔法与模态试验对参数振动模型进行验证。结果表明:数值解与理论解之间的最大误差为4.20%,固有频率理论值与试验值之间的最大误差为4.66%,可验证参数振动模型的正确性。

高效浓缩池斜管的特性参数(s)与斜管中的雷诺数(R_e)

本文主要研究了高效浓缩池斜管的特性参数(s)与斜管中的雷诺数(Re)。分析了斜管沉淀原理中,雷诺数性质和特性参数公式、斜管里雷诺数Re的实例计算,探讨了斜管式浓缩机选型里,雷诺数(x e R,?e R)两个概念的运用和经验公式。

气体绝缘组合电器中局部放电特高频信号S参数特性仿真与实验研究

为了研究局部放电特高频信号在GIS中的传播和衰减变化特性，首先采用有限积分法对GIS中的S参数进行仿真研究，分别分析了经过不同数量盆式绝缘子后S参数的变化。同时，在实验室内搭建了一套252kVGIS局部放电实验平台，利用多个内置传感器检测了不同位置处的局放特高频信号，求解S参数并将其与仿真结果进行比较，得出的实验结果与仿真的幅值和波形均相一致，从而验证了仿真结果的有效性。最后，使用矢量网络分析仪测量了不同结构下的S参数，并对仿真模型进行进一步地细化和改变，得到的矢量网络分析仪的实验结果和仿真结果较为一致，进一步证明了仿真结论的合理性。结果和结论表明了单个盆式绝缘子对于特高频信号的衰减程度可到-3dB，绝缘子数量与衰减程度成正比关系。

几何参数对S弯进气道气动特性的影响研究

采用数值仿真方法对某无人机S弯进气道内流场结构进行了分析,对出口截面流场特征及出口参数进行了研究。利用三维数值仿真方法,对几何参数对S弯进气道气动特性的影响进行了对比,其中包括S弯偏移距离和S弯进气道长度的影响。研究结果表明:S弯进气道内部存在典型的横向涡结构。S弯长度的增加会显著降低涡结构区域及分离区域,改善流场结构,同时提升出口总压恢复系数,控制出口畸变。

基于S参数的GIS局部放电信号传播特性仿真与实验研究

在气体绝缘开关设备(Gas Insulated Switchgear,GIS)中,由于存在各种类型的绝缘缺陷而使得GIS内部发生局部放电,其产生的电流脉冲会在GIS腔体内激励出特高频(Ultra-High Frequency,UHF)电磁波信号,本文针对局放UHF电磁波信号在GIS结构中的激发、传播和衰减的规律研究不足的现状,对UHF信号在同轴腔体中的波导特性进行了理论分析,利用微波网络中的S21参数反映信号在传输过程中的增益,通过有限元仿真软件HFSS扫频得到了GIS局部放电UHF信号传输特性曲线即S21参数曲线,并在云南永仁500KV变电站进行了现场实测,将实验与仿真结果进行对比,证明了仿真结果的合理性,同时得到了局部放电UHF电磁波信号在GIS典型结构中的衰减特性。利用局部放电UHF电磁波在GIS中的传输特性可以指导UHF传感器在GIS中的布置,提高UHF传感器检测局放信号的准确性。

S弯D形矢量喷管参数化设计及气动特性研究

为了满足战机对垂直/短距起降能力的要求,基于曲率控制方法对具有D形出口的S弯喷管进行参数化设计,进而可实现喷管尾段的大角度偏转。随后对不同偏转角、落压比以及设计参数的S弯D形矢量喷管气动特性进行数值模拟,对比并分析了喷管的气动特性。计算结果显示:无偏转条件下,随着落压比π从1.5增大至3.5,喷管流量系数先增大后平稳,在π=2.5时达到最大值,推力系数先增大后减小,且推力方向为飞行器产生一定的抬头力矩;落压比恒定时,随着偏转角度从0°增大至90°,喷管流量系数、推力系数下降,矢量超前角由负值不断增大至+6°左右;设计参数中预留偏转角对喷管气动性能影响较大,而S弯中心线控制系数对气动性能影响较小。本文提出的S弯D形喷管具有较好的气动性能,小偏转角度下矢量角变化趋势较为一致,亦可通过出口段偏转实现发动机推力的大角度矢量偏转。

微波网络[S]参数应用实例

散射矩阵即[S]参数是描述微波网络特性的一种重要的矩阵形式,也是微波网络的特色之一。对散射矩阵概念的理解与应用是本科微波技术课程微波网络部分的一个重点和难点。本文以微波基本元件——3dB分支线定向耦合器为例,从它的[S]参数出发探究其工作性质,并给出了具体的工程应用实例,借此加深学生对[S]参数的理解,掌握用[S]参数分析问题的方法和能力,同时也可使学生了解3dB分支线定向耦合器的各种实用价值。

有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池S形电流扭结的集总参数等效电路模型

提出一种改进的太阳能电池集总参数等效电路模型,可以实现对S形电流电压曲线的准确拟合。该改进模型使用四个二极管,采用分区和Lambert W函数方法建立结点电压显式算法,获得电流-电压显式方程。与具有多个子电路的电路模型比较,改进模型中加入分流电阻,结构上更加完整。此外,该模型可以描述S形曲线,对较大正向电压下I-V特性第一象限的指数型曲线可实现良好拟合。基于该模型解析求解算法,可避免长时间数值迭代计算,获得满足误差要求的计算结果,利于仿真电路和模型参数提取。

配电电缆中受潮接头的阻抗特性及其检测方法研究

电缆接头是电力电缆中最脆弱的部位,接头受潮是中压交联电缆的常见缺陷,如果未能及时得到修复,将导致电缆过早失效。文章围绕中间接头受潮后的阻抗特性及其检测方法开展研究,阐述了波在电缆中传播的折反射现象,以时域反射法的理论知识为基础,在CST(computer simulation technology)Studio Suite中建立了10 kV冷缩式中间接头的三维单芯模型,对中间接头不同程度进水情况下的阻抗特性和反射波形进行研究;在实验室10 kV交联聚乙烯电缆中间部位的电缆接头上制作进水缺陷,分别进行电缆接头S参数测量和时域脉冲反射实验。最后,分析和比较了电缆受潮接头的阻抗特性仿真和实验结果,证明了使用时域脉冲反射技术对受潮电缆中间接头进行受潮诊断的可行性和有效性。

10Gb/s以太网、FC、RapidIO标准体系电参数对比研究

围绕以太网、FC和RapidIO,对三种协议电参数进行分析对比,深入研究三种协议电参数的异同。以太网技术、FC以及RapidIO均为用于通信的协议方式,由于诞生于不同的设备或传输环境,有着不同的协议特点和通信方式,其典型电参数对比分析为相关芯片研发、电参数测试验证、测试方法优化以及不同网络间融合提供了一定参考。

全新参数分析仪降低特性分析复杂度

全面集成的Keithley 4200A-SCS参数分析仪，通过降低新用户或偶尔使用的用户面临的特性分析复杂度，简化测试设置，提供清楚精确的结果，加快了用户获得半导体器件、材料和工艺洞察力的速度。Keithley 4200-SCS参数分析仪已经取得了巨大的成功，在此基础上，新推出的4200A-SCS仪器采用现代工业设计，拥有全新图形用户界面及多种自学工具，如仪器内嵌的专家指导视频。

全新参数分析仪降低特性分析复杂度

全面集成的Keithley4200A-SCS参数分析仪通过降低新用户或偶尔使用的用户面临的特性分析复杂度，简化测试设置，提供清楚精确的结果，加快了用户获得半导体器件、材料和工艺洞察力的速度。4200A-SCS仪器采用现代工业设计，拥有全新图形用户界面及多种自学工具，如仪器内嵌的专家指导视频。

细说S参数在高频测量中的妙用

信息电子产品的运算速度与传输信息量大幅提升,相关电子零部件的高频特性也愈显重要。如 PCB,缆线、连接器等过去被视为单纯桥接作用的零部件,为满足高频应用的需要,现有规格逐渐纳入了衰减、特性阻抗、串音、传输延迟、传输延迟时滞.隔离效果、信号抖动等高频特性的项目。本文将主要介绍 S 参数在高频测量中的应用。

量子共振隧穿二极管的频率特性与分析

用 HP8 510 C网络分析仪测量了 Al As/In Ga As/Al As共振隧穿二极管的 S参数 ,通过实测曲线拟合提取器件等效电路参数 ,计算出所研制器件的阻性截止频率为 54GHz。

一种K波段GaAs MESFET压控振荡器的设计

利用微波晶体管的负阻特性,基于Agilent ADS软件,设计出一种K波段微带结构、变容管调谐的MESFET压控振荡器(VCO)。对VCO进行实测,结果表明,VCO的中心频率为20.56GHz,调频带宽大于100MHz,带内输出功率大于2mW,相位噪声大于-90dBc/Hz@100kHz,满足实际应用。

过模慢波结构高频特性

对过模结构在提高功率容量方面的优点进行了理论分析;分别采用解析方法和有限元方法研究了理想无限长过模慢波结构及有限长过模慢波结构色散关系的特点,对比了这两种情况下TM01模色散特性的区别,结果表明两者在纵向波数取值及对应的频率上有所差别,这对于高功率微波器件高频结构的设计有重要的参考价值。

不同渐变方式的喇叭结构对电-磁振子组合型超宽带天线特性的影响

电-磁振子组合型超宽带(UWB)天线的物理结构包括3部分:天线的馈电系统、TEM喇叭辐射单元和电流环辐射单元。采用CST MICROWAVE STUDIO电磁场数值计算软件,对该组合型天线的结构与端口S参数和时域辐射特性的关系进行了分析。仿真结果表明:当TEM喇叭辐射单元和电流环辐射单元由3段金属板构成时,天线的端口S参数较小,主轴辐射功率较大,方向性较好。

慢波结构的纵向谐振特性研究

利用传输线理论分析了单模慢波结构纵向谐振的形成 ,说明了由于慢波结构与其输入、输出端阻抗不匹配导致纵向谐振的出现 ;根据有限元方法 ,通过求解S参数矩阵 ,研究了过模慢波结构TM0 1模的纵向谐振特性 ,获得了其形成时纵向波数与频率的满足条件及场分布特点 ,给出了纵向谐振发生时场的典型分布及实验上判断其发生的方法 。

S波段简易压控振荡器的设计与实现

描述了一种S波段简易压控振荡器(VCO)的设计。该设计基于负阻原理,利用微波有源器件的小信号S参数,采用低噪声晶体管和变容二极管作为核心器件降低振荡器的相位噪声。适当的匹配补偿电路有效地改善了VCO的调频(FM)线性度,同时,有效地抑制了谐波分量。实际电路测试结果表明:该VCO的中心频率为3.09 GHz,输出功率为10.9 d Bm,调谐范围大于200 MHz,FM线性度优于3%,功率平坦度良好,相位噪声达到了-104.5 d Bc/Hz@100 k Hz,128.9 d Bc/Hz@1 MHz,且电路结构简单,工程应用性强。

斜管沉淀墙高效性的理论分析

介绍了沉淀墙的沉淀原理,借助常用的分离粒径法和特性参数法从理论上分析了斜管沉淀墙的高效性原理;并与传统异向流斜管沉淀水力计算公式进行了比较,分析了沉淀墙的负荷公式及提高其负荷的途径。结果表明,斜管沉淀墙通过合理增加净高度,其负荷可达异向流斜管沉淀的两倍,并减少了占地面积、节省了投资。