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基于MEDICI的新型高压SOIP-LDMOS的仿真优化
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作者 赵海翔 《电子世界》 2014年第6期100-102,共3页
本文以一个利用Triple RESURF结构实现的新型高压SOI P-LDMOS器件的实例来具体说明如何利用TCAD工具MEDICI对已知的器件结构进行仿真,并根据性能需要优化器件相关参数。
关键词 MEDICI仿真 新型高压soi P—LDMOS器件 参数优化
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