硅晶体中新施主研究

本文阐述了硅晶体中新施主的产生和影响，着重总结了新施主的基本性质，基本模型和近年来的研究进展。

直拉硅单晶中氮关新施主的研究

研究了微氮硅单晶在６００～９００℃温区的新施主形成特性，发现氧、氮杂质对新施主有重要影响．明确提出含氮直拉硅中存在不同于传统新施主的以氮硅氧复合体为成核中心的新型氮关新施主ＮＮＤ，其热处理行为类似于普通新施主，但形成特性受氮杂质的较大影响．

热处理CZ-Si中新施主与氧沉淀产物的对应关系

本文利用霍耳测量、红外测量及透射电子显微镜等手段,对热处理CZ-Si中的新施主及氧沉淀进行了研究。常规电子显微镜(TEM)结果表明,经650—750℃热处理的CZ-Si中主要形成点状及杆状缺陷。新施主的形成与点状缺陷关系密切。根据高分辨电子显微镜(HREM)观察,这些点状缺陷相当于晶体结构为β-方石英的片状SiO_2晶态沉淀,它们与硅基体界面上有半数硅原子处于失配状态,失配原子的悬挂键可以成为新施主的来源。新施主的产生受控于β-方石英沉淀物的形核、长大及其结构变化。

硅中的氮氧复合物及其施主行为

含氮 CZ硅的电学性能完全有别于含氮的 FZ硅和无氮的 CZ硅 .研究表明 ,含氮 CZ硅能形成一种与氮有关的新施主 ,它随氮氧复合物的形成而形成 ,随氮氧复合物的消失而消失 .文章进一步研究了氮 -新施主的形成和消除与热处理条件的关系 。