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种子层厚度对以NiFeNb为新种子层的坡莫合金薄膜的零场电阻率和AMR的影响
被引量:
2
1
作者
刘俊
郑瑞伦
+1 位作者
段昌奎
代波
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期706-708,共3页
制备了(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(dnm)/Ni82Fe18(3nm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜。测量了样品零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构。研究了ρ和AMR随种子层厚度(d)的变化。探讨了d影响ρ和AMR的微观机理。
关键词
新种子层
零场电阻率
AMR
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职称材料
以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的零场电阻率
被引量:
1
2
作者
刘俊
郑瑞伦
+1 位作者
段昌奎
代波
《重庆邮电学院学报(自然科学版)》
2004年第3期108-111,共4页
以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了具有不同Nb含量(x)、种子层厚度(d)和NiFe厚度(t)的(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(dA)/Ni82Fe18(tA)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜,并对部分样品进行了中温退火。测量了样品的磁电阻曲线和微结...
以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了具有不同Nb含量(x)、种子层厚度(d)和NiFe厚度(t)的(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(dA)/Ni82Fe18(tA)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜,并对部分样品进行了中温退火。测量了样品的磁电阻曲线和微结构。从实验角度研究了零场电阻率(ρ)随x、d、t及退火的变化。结果表明,NiFeNb作为种子层能较大地提高坡莫合金薄膜的ρ;一定厚度坡莫合金薄膜的ρ极大的最佳工艺条件是x约为27.5,d约为27.5A;不同Nb含量、种子层厚度等工艺条件引起坡莫合金薄膜具有不同颗粒粒径分布,从而引起4s↓电子受到的内禀散射、颗粒表面和边界散射及其关系的不同,再加上织构、4s↓电子球对称性受破坏程度和薄膜均匀程度的不同导致了零场电阻率随工艺条件的变化。
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关键词
新种子层
纳米级
零场电阻率
坡莫合金薄膜
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职称材料
Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响
被引量:
3
3
作者
刘俊
郑瑞伦
+1 位作者
陈希明
董会宁
《重庆大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第12期98-101,共4页
以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(35 )/Ni82Fe18(150 )/Ta(30 )纳米级坡莫合金系列膜。测量了样品的零场电阻率(ρ),磁电阻(ΔR/R)和微结构。研究了ρ、ΔR/R随Nb含量的变化。探讨了Nb含量对坡莫合金薄...
以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(35 )/Ni82Fe18(150 )/Ta(30 )纳米级坡莫合金系列膜。测量了样品的零场电阻率(ρ),磁电阻(ΔR/R)和微结构。研究了ρ、ΔR/R随Nb含量的变化。探讨了Nb含量对坡莫合金薄膜微结构从而对其ρ和ΔR/R影响的微观机制。
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关键词
新种子层
NB含量
零场电阻率
磁电阻
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职称材料
题名
种子层厚度对以NiFeNb为新种子层的坡莫合金薄膜的零场电阻率和AMR的影响
被引量:
2
1
作者
刘俊
郑瑞伦
段昌奎
代波
机构
重庆邮电学院光电工程学院信息电子学研究所
西南师范大学物理系
中国科学院物理所国家磁性重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期706-708,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(10147207)
重庆市科委技术资助项目(2003 6111)
重庆邮电学院青年基金资助项目(A2004 111)
文摘
制备了(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(dnm)/Ni82Fe18(3nm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜。测量了样品零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构。研究了ρ和AMR随种子层厚度(d)的变化。探讨了d影响ρ和AMR的微观机理。
关键词
新种子层
零场电阻率
AMR
Keywords
Electric conductivity of solids
Magnetoresistance
Metallic films
Nickel alloys
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的零场电阻率
被引量:
1
2
作者
刘俊
郑瑞伦
段昌奎
代波
机构
重庆邮电学院
西南师范大学物理学院
中国科学院物理所国家磁性重点实验室
出处
《重庆邮电学院学报(自然科学版)》
2004年第3期108-111,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(10147207)
重庆市科委技术项目(2003-6111)
重庆邮电学院青年基金项目(A2004-11)等资助
文摘
以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了具有不同Nb含量(x)、种子层厚度(d)和NiFe厚度(t)的(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(dA)/Ni82Fe18(tA)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜,并对部分样品进行了中温退火。测量了样品的磁电阻曲线和微结构。从实验角度研究了零场电阻率(ρ)随x、d、t及退火的变化。结果表明,NiFeNb作为种子层能较大地提高坡莫合金薄膜的ρ;一定厚度坡莫合金薄膜的ρ极大的最佳工艺条件是x约为27.5,d约为27.5A;不同Nb含量、种子层厚度等工艺条件引起坡莫合金薄膜具有不同颗粒粒径分布,从而引起4s↓电子受到的内禀散射、颗粒表面和边界散射及其关系的不同,再加上织构、4s↓电子球对称性受破坏程度和薄膜均匀程度的不同导致了零场电阻率随工艺条件的变化。
关键词
新种子层
纳米级
零场电阻率
坡莫合金薄膜
Keywords
new seed layer
nanometer
zero field resistivity
permalloy films
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
TM271 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响
被引量:
3
3
作者
刘俊
郑瑞伦
陈希明
董会宁
机构
重庆邮电学院信息电子学研究所
西南师范大学物理学院
出处
《重庆大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第12期98-101,共4页
基金
国家自然科学资金资助(10147207)
重庆市科委技术项目(2003-6111)
重庆邮电学院青年基金项目(A2004-11)
文摘
以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(35 )/Ni82Fe18(150 )/Ta(30 )纳米级坡莫合金系列膜。测量了样品的零场电阻率(ρ),磁电阻(ΔR/R)和微结构。研究了ρ、ΔR/R随Nb含量的变化。探讨了Nb含量对坡莫合金薄膜微结构从而对其ρ和ΔR/R影响的微观机制。
关键词
新种子层
NB含量
零场电阻率
磁电阻
Keywords
new seed layer
Nb concentration
zero field resistivity
magnetoresistance
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
TM271 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
种子层厚度对以NiFeNb为新种子层的坡莫合金薄膜的零场电阻率和AMR的影响
刘俊
郑瑞伦
段昌奎
代波
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
下载PDF
职称材料
2
以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的零场电阻率
刘俊
郑瑞伦
段昌奎
代波
《重庆邮电学院学报(自然科学版)》
2004
1
下载PDF
职称材料
3
Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响
刘俊
郑瑞伦
陈希明
董会宁
《重庆大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
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