利用光散射特性研究光学表面中瑞利缺陷粒子的方位诊断

基于偏振双向反射分布函数,从理论上推导了瑞利缺陷粒子分别位于光学表面上方和基底内部的散射场,研究了光学表面瑞利缺陷粒子的方位诊断问题.通过对不同波长下冗余缺陷粒子位于不同方位时双向反射分布函数pp项的分析与讨论实现对缺陷位置的初步判断.结果表明,SiO2瑞利缺陷粒子位于裸基底上方时,双向反射分布函数pp项受波长影响的敏感程度远大于位于SiO2涂覆上方时,可以通过测量缺陷粒子对波长变化的敏感程度判断缺陷粒子的大致方位;当缺陷粒子在Si基底下方时,方位角的凹痕出现在85°到90°之间,当缺陷粒子在SiO2涂层下方时,方位角的凹痕出现在70°左右,因此,可以根据方位角凹痕位置的不同实现对缺陷粒子方位的进一步诊断.

基于全方位诊断的10kV线路越级跳闸事故辨识方法

10kV线路越级跳闸事故的准确辨识,对于减小事故范围、降低停电损失具有重要意义,然而造成线路越级跳闸事故的异常原因既可能涉及一次设备,也可能涉及二次设备,排查的范围和难度较大。为了克服这一难题,提出了一种线路越级跳闸事故辨识方法。首先,基于线路保护基本原理,诊断出造成越级跳闸异常的关键环节,并对控制断路器跳闸的各个关键环节逐一分析,提炼了多种可能的异常原因。然后,为了提高现场排查效率,有效定位异常原因,提出了事故发生后整体的辨识流程和方法。最后,以3个典型实际案例的计算分析,表明所提方法均能够精准有效地判断出越级事故的原因。