利用方形四探针技术测量硅基片薄膜电阻的研究

提出硅基片生长薄膜的薄膜电阻的测试方法,利用方形四探针技术实现对较小硅基片上生长钴的薄膜电阻的测量,完成不同生长厚度下三片薄膜硅片的薄膜电阻测试工作,得出测试结果较可靠、合理的结论,同时对提高测试实验精度的影响因素进行分析。

用改进的Rymaszewski公式及方形四探针法测定微区的方块电阻

提出用改进的Rymaszewski公式并使用方形四探针法测试无图形大型硅片微区薄层电阻的方法 ,从理论上推导出方形四探针产生游移时的Rymaszewski改进公式 ,讨论探针游移对测试结果的影响 .制定出可操作的测试方法 ,对实际样品进行测试验证 。

两种薄层电阻测试系统探针游移误差的对比分析

从理论上分析方形四探针和直线四探针薄层电阻测试方法中探针游移所造成的系统偏差,推导出计算游移偏差的公式,并作图展示探针游移后的电阻与理想值之比的分布情况,分析了两种四探针测试方法出现最大误差的情况。用方形四探针测试方法不仅比普通直线四探针测试方法所测量的微区小,而且方形四探针测量的游移偏差小于直线四探针测量所产生的偏差。经试验发现,实际测试过程中,方形四探针只要在合理压力范围内,探针游移完全在合理范围内,能够保证测试的准确性。

大直径硅片微区电阻率的表征

介绍了改进的范德堡法和鲁美采夫斯基法,即此时用方形四探针分别替代边缘的触点和直线四探针,在大直径硅片上进行微区电阻率的测量。我们采用灰度法和模糊数学分类测得数据,并将它们分别在硅片上绘制出电阻率分布图。所得大型硅片上电阻率分布图已用于指导工程技术人员的集成电路生产和单晶锭生长,取得了较好的效果。