GaN HEMT器件性能的评估,一般包含静态参数测试(I-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。静态参数,也被称作直流参数,是用来评估半导体器件性能的基础测试,也是器件使用的重要依据。以阈值电压Vgs(th)为例,其...GaN HEMT器件性能的评估,一般包含静态参数测试(I-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。静态参数,也被称作直流参数,是用来评估半导体器件性能的基础测试,也是器件使用的重要依据。以阈值电压Vgs(th)为例,其值的大小对研发人员设计器件的驱动电路具有重要的指导意义。静态测试方法,一般是在器件对应的端子上加载电压或者电流,并测试其对应参数。与Si基器件不同的是,GaN器件的栅极阈值电压较低,甚至要加载负压。展开更多
跳跃测试常被用于评估下肢的神经肌肉功能、监测训练的适应性、评估受伤后恢复训练和比赛的准备程度。其中,反向纵跳(Counterm ovem ent jump,CMJ)和跳深(Drop jump,DJ)是研究和实践领域最常用的2种跳跃测试,其测试结果可间接评估受试...跳跃测试常被用于评估下肢的神经肌肉功能、监测训练的适应性、评估受伤后恢复训练和比赛的准备程度。其中,反向纵跳(Counterm ovem ent jump,CMJ)和跳深(Drop jump,DJ)是研究和实践领域最常用的2种跳跃测试,其测试结果可间接评估受试者的神经肌肉能力和反应力量。从实践角度来看,跳跃测试实施简单、不易疲劳且较为省时,具有较高的可行性。尽管测力台可根据不同的跳跃测试提供大量指标,但这可能会误导从业者。因此,本文旨在建立一个选择CMJ和DJ测试指标的理论框架,为实践中的指标选择提供指导。展开更多
文摘跳跃测试常被用于评估下肢的神经肌肉功能、监测训练的适应性、评估受伤后恢复训练和比赛的准备程度。其中,反向纵跳(Counterm ovem ent jump,CMJ)和跳深(Drop jump,DJ)是研究和实践领域最常用的2种跳跃测试,其测试结果可间接评估受试者的神经肌肉能力和反应力量。从实践角度来看,跳跃测试实施简单、不易疲劳且较为省时,具有较高的可行性。尽管测力台可根据不同的跳跃测试提供大量指标,但这可能会误导从业者。因此,本文旨在建立一个选择CMJ和DJ测试指标的理论框架,为实践中的指标选择提供指导。