基于单元整体教学设计的“方法生长课”探索——《认识多边形》教学与思考

《平面图形的认识》单元的整体教学设计,应为学生构建认识图形的基本模式,沟通各个平面图形。本单元的“方法生长课”的教学,需要引导学生了解边与角的概念,学会基于某一标准对图形进行分类,并在分类的过程中抽象出图形的根本特征。

裂纹生长方法在橡胶疲劳分析中的应用研究

橡胶因能承受大应变而不发生永久变形或断裂而得到广泛应用。如轮胎、隔振器、缓冲器和鞋类。这些应用长期承受随时间变化的大应变,耐久性尤其重要。在影响耐久性的诸多因素中,机械疲劳是首要因素。文章回顾了裂纹生长方法在橡胶件疲劳寿命分析中的应用。介绍了现有理论,讨论了其优点和局限性,给出其在工程分析中应用的实例。

新疆乌伦古湖拟鲤生长退算材料和方法的比较研究

研究以鳞片和微耳石为生长退算材料,用4种常用的鱼类生长退算方法(Dahl-Lea、Regression、Fraser-Lee和BPH方法)对新疆乌伦古湖拟鲤(Rutilus rutilus Linnaeus,1758)的生长进行了退算,比较分析了退算材料和方法对退算全长的影响,以此确定适宜的生长退算材料和方法。结果显示,无论采用哪种退算方法,用微耳石退算拟鲤生长的结果均好于鳞片,表现为退算全长更接近实测全长,与实测体长之间的差异百分比更小。用鳞片退算时,Dahl-Lea方法退算全长远小于实测全长,整体差异百分比高达-26.0%,与其他方法之间的差异也较大,效果最差;Regression、Fraser-Lee和BPH三种方法退算全长与实测全长之间的差异相近,差异百分比分别为-6.7%、7.0%和7.0%。用微耳石退算时,Dahl-Lea方法退算全长最接近实测全长,退算全长与实测全长之间的差异百分比最小,总体仅为-1.9%,效果最好;Fraser-Lee和BPH方法各龄退算全长与实测全长之间的差异百分比相等,在-1.4%-?3.2%之间,总体均为-2.6%,效果次之;Regression方法与Fraser-Lee和BPH方法之间虽然无显著差异,但退算全长与实测全长之间的差异百分比最大,总体为-4.5%,效果最差。

光学级锗晶体生长方法新进展

介绍了９０年代以来，光学级锗晶体生长方法的新进展。着重介绍了ＶＧＦ法制备锗单晶、铸造法制备锗多晶的工艺和装置。简单比较了不同方法制备的锗晶体的主要光学。

新疆艾比湖地区胡杨林生长监测方法研究

文章主要依据德国柏林工业大学生态学院景观与林业研究中心长期的实践经验监测形成的一套成熟的研究方法,对新疆艾比湖地区9个标准样地的胡杨林的生长情况进行准样地数据和树木数据监测,并提出其保护措施和方案。

混沌系统辨识的一种新的生长型神经气方法

在自组织神经网络基础上 ,根据生物群落自然增长的机制 ,提出了一种新的生长型神经气的自组织算法 ,用于混沌系统的自组织辨识 .该算法在学习样本的激励下能够动态地增加神经元 ,避免某些神经元可能出现的欠训练现象 ,从而极大地提高了网络整体训练的速度 .最后以 L

蛋白质晶体生长方法综述

蛋白质晶体的生长过程是蛋白质分子与周围环境相互作用的结果.蛋白质晶体的生长分为成核、生长和停止三个阶段.对蛋白质的结晶条件进行筛选、种晶可获得晶核.通过改变蛋白质本身来获得单晶的方法有:截短、修饰、共晶和寻找同源蛋白质.蛋白质的结晶条件仍有待于进一步深入研究.

卫星广播调度的鲁棒生长方法

本文提出基于果蝇刚毛分化自组织机理的卫星广播调度新方法,该方法生长出了这种问题的优化解。为增加自组织计算的鲁棒性引入了随机竞争排序技术,对不同大小问题的计算测试表明该方法能快速一致地产生极好的结果。

蓝宝石晶体主要生长方法和研究现状

蓝宝石晶体由于良好的导热性、透光性、化学稳定性,越来越受到人们的广泛关注。文章介绍了目前蓝宝石晶体生长的主要方法,讨论了蓝宝石晶体的研究现状以及存在的问题。

基于三步脉冲生长方法制备的高质量非极性a面AlN模板特性的研究

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术及三步脉冲生长方法,在半极性r面(22ˉ04)蓝宝石衬底上成功制备了非极性a面(112ˉ0)氮化铝(AlN)模板,并对其结构和光学性质进行了系统研究。与采用传统单一固定温度及单步脉冲方法制备的非极性a面AlN模板相比,本方法制备的非极性a面AlN模板的晶体质量、光学性质和表面形貌均得到较大改善。实际上,通过可变温度及三步脉冲生长方法制备的非极性a面AlN模板,不仅其X射线摇摆曲线和A_(1)(TO)拉曼散射峰的半峰宽均显著减小,且在对应的紫外-可见吸收光谱中也观察到较强的相对透光率和陡峭的吸收边。在5×5μm^(2)的原子力显微镜检测区域内,相应的均方根值最小低至3.4 nm,且非极性a面AlN模板样品呈现优异的表面形貌和较少的表面形变。以上研究结果揭示了采用可变温度及三步脉冲生长方法能够有效地制备高质量的非极性a面(112ˉ0)AlN模板,而该AlN模板在AlGaN基III族氮化物的外延生长中起着至关重要的作用。

“微距升华”晶体生长方法

随着功能器件向微型化发展,微纳米尺度的低维晶体成为构建新一代功能器件的材料基础。传统的体块单晶生长方法不适用于低维晶体。长久以来,对新型低维材料的研究依赖于机械剥离、溶液法和化学/物理气相沉积等方法,这些方法在效率、可控性和适用性等方面存在诸多限制,因此发展高效可控的低维晶体新型生长方法成为实现这些低维材料器件实用化的前提。山东大学晶体材料国家重点实验室陶绪堂、刘阳团队基于多年来在分子材料结晶基础方面的研究成果,发明了新的“微距升华”低维晶体生长方法。“微距升华”法利用原料与生长衬底之间的微小间距,可以在常压下实现常规物理气相传输中需要高真空才能够达到的分子流传输模式,使生长过程不再受传质限制,因此微距升华法无须真空和载气,速度快,原料利用率接近100%。该方法适用于大部分的有机半导体、金属配合物,甚至含有大量羧基、羟基的药物分子及熔点在一定范围内的无机物晶体,生长的微纳米晶体与电子器件制程匹配,屡次创新器件迁移率记录。新方法受到业界广泛关注,已被多国科学家采用。

GaAs(111)衬底上生长的GaN的极性与生长方法和生长条件的关系 (英文)

研究了在 ＧａＡｓ （１１１）衬底上生长的六角相 ＧａＮ的极性的相关关系。在高 Ⅴ /Ⅲ比的条件下用ＭＯＶＰＥ和ＭＯＭＢＥ方法生长的ＧａＮ的极性和ＧａＡｓ衬底的极性一致；在（１１１）Ａ－Ｇａ表面上的生长层呈现Ｇａ的极性，而在（１１１）Ｂ－Ａｓ表面上的生长层呈现Ｎ的极性。然而，在低的Ⅴ /Ⅲ比，或采用一个ＡＩＮ中间层的条件下，用ＨＶＰＥ和ＭＯＭＢＥ方法在ＧａＡｓ（１１１）Ｂ表面上生长的ＧａＮ呈现出Ｇａ的极性。目前，其原因尚不清楚，但是这些结果表明采用ＨＶＰＥ生长方法或用一高温ＡｌＮ阻挡层可以得到高质量的ＧａＮ。

专利名称：一种纳米钼酸汞化合物及其诱导控制合成生长方法

专利申请号：CN200910201027．6公开号：GN101717121A申请日：2009．12．14公开日：2010．06．02申请人：上海应用技术学院本发明公开了一种纳米钼酸汞化合物及其诱导控制合成生长方法。即分别移取0～6体积的醇类溶剂和1体积的汞盐溶液，超声处理的同时，

掺锰铝酸锂晶体的生长方法

一种掺锰铝酸锂晶体的制备方法，包括下列步骤：1）含锰铝酸锂原料的合成：以氧化铝、碳酸锂和二氧化锰为原料按化学配比配料，将原料充分混合均匀后压块，然后置于刚玉坩埚中预烧；2）晶体的生长：将预烧后的原料放在铱金坩埚中，并放入晶体生长炉用提拉法生长掺锰铝酸锂晶体。经He—Ne激光照射，该Mn掺杂LiAlO2晶体中无明显散射颗粒。其结晶质量较高。晶体的热稳定性和抗水解性能比纯LiAlO2晶体也要好，可应用于非极性面GaN自支撑衬底的制备，也可望用于热释光探测器中。

一种基于金属电极的纳米线阵列的生长方法

该发明属于微电子工艺领域和仪器仪表技术领域,特别涉及一种基于金属电极的纳米线阵列的生长方法。该发明方法步骤包括:步骤1,在多孔模板两侧分别制作电极A和电极B,其中电极B需确保不会堵塞多孔模板的孔洞;所述电极A为溅射得到的金属电极,所述电极B为溅射得到的金属电极;步骤2,电极A和电极B分别与电源相连,并浸入装有电解液的溶液槽中,直至生长出均匀的纳米线阵列。相比于采用化学机械抛光来保证纳米线长度的一致性的方法,该发明方法对于纳米线的长度控制更加简单易行,不再需要抛光工艺介入。同时,该发明所提供的工艺途径避免了抛光过程对多孔模板的损伤,有利于良品率的提高。

一种高晶体质量高阻GaN外延层的生长方法

成果描述：本发明涉及一种生长高晶体质量高阻GaN外延层的方法。本发明通过在蓝宝石衬底上预沉积低温AIN并退火处理（简称为“AIN预处理门”），降低GaN中氧杂质的浓度，减少需要被补偿的背景电子浓度，因此仅需在GaN外延层中引入较少的刃型位错来补偿即可获得高阻GaN外延层。

中国科学院新疆生态与地理研究所发明“荒漠盐生植物盐穗木的全生长季育苗方法”

中国科学院新疆生态与地理研究所的科研人员近日发明一种＂荒漠盐生植物盐穗木的全生长季育苗方法＂,该方法于2012年1月9日获国家版权局授予的专利证书,专利号ZL201010180904.9。

等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜

利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜，用X射线衍射谱观察到位于 2θ34．56°处（0002）的衍射峰，表明ZnO沿c方向呈柱状生长．通过荧光光谱，观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射（375um）．紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达 193，显示出材料的高质量，并通过原子力显微镜加以验证．为了实现高阻ZnO薄膜，利用高温富氧分段退火和用N2 气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜．结果表明，电阻率由0．65 Ω·cm分别升高到1100 Ω·cm（分段退火）和5×104Ω·cm（掺氮）．进一步比较发现，掺氮的样品不仅电阻率高，而且光荧光特性好，显示出更高的薄膜质量．

K_2O助溶剂提拉法和富锂提拉法生长的近化学计量比LiNbO_3晶体性质的比较

分别采用K2O助溶剂提拉法和富锂提拉法生长了近化学计量比LiNbO3 晶体。比较了两种方法生长的晶体紫外吸收边和红外吸收谱的差别,光谱结果表明,K2O助溶剂提拉法生长的晶体组成非常均匀,而富锂提拉法生长的晶体组成不均匀,沿晶体生长方向,Li2O含量逐渐增加。另外,两种生长方法中,籽晶表面均看到螺旋状环,分析了其产生原因。

GaN体单晶生长技术研究现状

回顾了GaN体单晶材料的发展历程并介绍了研究现状。主要讨论了HVPE法和气相传输法等气相生长方法,以及HNPSG、助溶荆法、氨热法、提拉法等熔体生长方法。针对每种生长方法,阐述了其生长原理、特点及研究现状。