电压对脉冲电弧放电法制备C-AlPO_4抗氧化性能的影响

采用脉冲电弧放电法在 SiC-C/C 复合材料表面制备方石英型磷酸铝（C-AlPO4）抗氧化涂层.借助X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和等温静态氧化实验对涂层的晶相组成、显微结构和抗氧化性能进行了表征与测试.研究了脉冲电压对C-AlPO4涂层显微结构的影响,分析了 C-AlPO4涂层在1773 K下的氧化行为.结果表明,330~420 V 范围内,当脉冲电压为390 V 时制备的涂层致密均匀；C-AlPO4涂层具有较好的抗氧化性能,在1773 K氧化156 h后失重率仅为0．83％；C-AlPO4涂层在1773 K 下的氧化能力下降主要是由于长时间氧化后偏磷酸盐玻璃层不能及时有效地填补涂层中的缺陷,涂层在高温下产生了较多贯穿性孔洞所致的.

水热温度对C-AlPO_4-莫来石复合涂层显微结构及抗氧化性能的影响

采用水热电泳沉积法在SiC-C/C复合材料表面制备方石英型磷酸铝和莫来石的复相(C-AlPO4-莫来石)抗氧化涂层。借助X射线衍射、扫描电子显微镜和等温静态氧化实验对复合涂层的晶相组成、显微结构和抗氧化性能进行了表征与测试。研究了水热温度对C-AlPO4-莫来石涂层显微结构的影响,分析了复合涂层在1773K下的氧化行为。结果表明353～413K范围内,当水热温度为393K时制备的涂层致密均匀。C-AlPO4-莫来石复合涂层具有较好的抗氧化性能,在1773K氧化348h后失重率仅为1.45%,氧化失重速率稳定在0.33mg/(cm2.h)的极低水平。复合涂层在1773K下的氧化能力下降主要是由于长时间氧化后偏磷酸盐和硅酸盐玻璃层不能及时有效地填补涂层中的缺陷,涂层试样在高温下产生了较多贯穿性孔洞。

脉冲频率对脉冲电弧放电沉积法制备C-AlPO_4涂层抗氧化性能的影响

采用脉冲电弧放电沉积法在SiC-C／C复合材料表面制备了方石英型磷酸铝（C-AlPO4）抗氧化涂层。借助x射线衍射、扫描电子显微镜和静态等温氧化实验对涂层的晶相组成、显微结构和抗氧化性能进行了表征与测试。研究了脉冲频率对C-AlPO4涂层显微结构的影响，分析了C-AlPO4涂层在1773K下的氧化行为。结果表明：200-2000Hz范围内，当脉冲电压为1000Hz时制得的C—AIPO。涂层致密均匀，在1773K氧化120h后质量损失仅为0．5％，具有较好的抗氧化性能。C-AlPO4涂层在1773K下的氧化能力下降主要是由于长时间氧化后偏磷酸盐玻璃层不能及时有效填补涂层中的缺陷，涂层试样在高温下产生了较多贯穿性孔洞导致的。