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熔体旋甩法制备p型填充式方钴矿化合物Ce_(0.3)Fe_(1.5)Co_(2.5)Sb_(12)的微结构及热电性能
被引量:
1
1
作者
郭全胜
李涵
+1 位作者
苏贤礼
唐新峰
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期6666-6672,共7页
采用熔体旋甩法结合放电等离子烧结技术(MS-SPS)制备了p型填充式方钴矿化合物Ce0.3Fe1.5Co2.5Sb12,研究了熔体旋甩工艺对微结构以及热电性能的影响规律.结果表明,较高的铜辊转速和较低的喷气压力有利于提高熔体的冷却速率,使带状产物晶...
采用熔体旋甩法结合放电等离子烧结技术(MS-SPS)制备了p型填充式方钴矿化合物Ce0.3Fe1.5Co2.5Sb12,研究了熔体旋甩工艺对微结构以及热电性能的影响规律.结果表明,较高的铜辊转速和较低的喷气压力有利于提高熔体的冷却速率,使带状产物晶粒细化.薄带经SPS烧结后得到致密、基本单相、晶粒尺寸均匀细小(150—300nm)的块体.与传统方法制备的试样相比,MS-SPS试样虽然电导率有所降低,但因具有较大的Seebeck系数而获得了相对较高的功率因子.更为重要的是,由于MS-SPS样品中的纳米结构,样品晶格热导率较传统方法制备的Ce0.3Fe1.5Co2.5Sb12降低约30%,因此MS-SPS工艺制备的试样的无量纲热电性能指数ZT与传统方法制备的样品相比有所提高,750K时达到0.55左右.
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关键词
熔体旋甩
p
型
填充式
方钴矿
化合物
微结构
热电性能
原文传递
n型Ba_yNi_xCo_(4-x)Sb_(12)化合物的热电性能
被引量:
22
2
作者
唐新峰
陈立东
+2 位作者
後藤孝
平井敏雄
袁润章
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第12期2823-2828,共6页
系统地研究了Ba填充分数及Ni含量对n型BayNixCo4 -xSb1 2 (x =0— 0 .1,y =0— 0 .4 )化合物热性能及电性能的影响规律 .n型BayNixCo4 -xSb1 2 的热导率随Ba填充分数的增加而显著下降 ,当Ba填充分数为 0 .3时 ,热导率随Ni含量的增加而降...
系统地研究了Ba填充分数及Ni含量对n型BayNixCo4 -xSb1 2 (x =0— 0 .1,y =0— 0 .4 )化合物热性能及电性能的影响规律 .n型BayNixCo4 -xSb1 2 的热导率随Ba填充分数的增加而显著下降 ,当Ba填充分数为 0 .3时 ,热导率随Ni含量的增加而降低 ,在x =0 .0 5时 ,热导率达到最小值 ,晶格热导率随Ni含量的增加单调降低 .电子浓度和电导率随Ba填充分数及Ni含量的增加而增加 ,塞贝克系数则随Ba填充分数及Ni含量的增加而减小 .对于Ba0 .3Ni0 .0 5Co3.95Sb1 2 试样 ,得到了 1.2最大无量纲热电性能指数ZT .
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关键词
BayNixCo4-xSb12
化合物
n
型
方钴矿
化合物
填充
置换
热电性能
热电材料
热性能
电性能
热导率
原文传递
提高热电材料优值的方法研究(英文)
3
作者
徐国栋
陈哲
《南昌工程学院学报》
CAS
2013年第1期6-9,65,共5页
热电材料是一种将热能与电能进行互相转换的功能材料,其转换效率取决于材料的热电优值Z.详细讨论了当前提高热电材料优值的几种途径:向晶格掺入杂质元素改变晶格结构;发展纳米技术制备纳米薄膜、纳米线材或纳米颗粒;制备方钴矿型化合物...
热电材料是一种将热能与电能进行互相转换的功能材料,其转换效率取决于材料的热电优值Z.详细讨论了当前提高热电材料优值的几种途径:向晶格掺入杂质元素改变晶格结构;发展纳米技术制备纳米薄膜、纳米线材或纳米颗粒;制备方钴矿型化合物、功能梯度材料、准晶材料和Half-Heusler合金等新型热电材料.
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关键词
热电材料
制备
方钴矿型化合物
纳米材料
下载PDF
职称材料
利用离子束溅射法制作CoSb3薄膜及其热电特性
4
作者
蒋修治
《金属材料研究》
2002年第2期60-64,共5页
为了合成CoSb3化合物薄膜,利用离子溅射法制作了Co/Sb多层薄膜,并在真空条件下于673K至773K温度范围内进行1-3h的退火。利用X射线衍射和透射电子显微技术评价了化学组分和退火条件对CoSb3相变的影响,研究了退火薄膜在高温下的热电...
为了合成CoSb3化合物薄膜,利用离子溅射法制作了Co/Sb多层薄膜,并在真空条件下于673K至773K温度范围内进行1-3h的退火。利用X射线衍射和透射电子显微技术评价了化学组分和退火条件对CoSb3相变的影响,研究了退火薄膜在高温下的热电特性。所得结果是:在70-85%Sb相当宽的组分范围内,成功地合成了CoSb3单相薄膜,CoSb3薄膜显现出P-型半导体特性,并且发现其热电转移特性几乎接近已报导的块材。研究还发现CoSb3薄膜的粒度、电导率和塞贝克系数取决于其退火后的化学组分。
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关键词
离子束溅射
热电材料
方钴矿型化合物
薄膜热电元件
多层薄膜
固相反应
热电特性
原文传递
题名
熔体旋甩法制备p型填充式方钴矿化合物Ce_(0.3)Fe_(1.5)Co_(2.5)Sb_(12)的微结构及热电性能
被引量:
1
1
作者
郭全胜
李涵
苏贤礼
唐新峰
机构
武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期6666-6672,共7页
基金
国家重点基础研究发展计划(973项目)(批准号:2007CB607501)
国家自然科学基金重点项目(批准号:50731006
+1 种基金
50672118)
国家111计划(批准号:B07040)资助的课题~~
文摘
采用熔体旋甩法结合放电等离子烧结技术(MS-SPS)制备了p型填充式方钴矿化合物Ce0.3Fe1.5Co2.5Sb12,研究了熔体旋甩工艺对微结构以及热电性能的影响规律.结果表明,较高的铜辊转速和较低的喷气压力有利于提高熔体的冷却速率,使带状产物晶粒细化.薄带经SPS烧结后得到致密、基本单相、晶粒尺寸均匀细小(150—300nm)的块体.与传统方法制备的试样相比,MS-SPS试样虽然电导率有所降低,但因具有较大的Seebeck系数而获得了相对较高的功率因子.更为重要的是,由于MS-SPS样品中的纳米结构,样品晶格热导率较传统方法制备的Ce0.3Fe1.5Co2.5Sb12降低约30%,因此MS-SPS工艺制备的试样的无量纲热电性能指数ZT与传统方法制备的样品相比有所提高,750K时达到0.55左右.
关键词
熔体旋甩
p
型
填充式
方钴矿
化合物
微结构
热电性能
Keywords
melt-spinning
p-type filled skutterudites
microstructure
thermoelectric properties
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
n型Ba_yNi_xCo_(4-x)Sb_(12)化合物的热电性能
被引量:
22
2
作者
唐新峰
陈立东
後藤孝
平井敏雄
袁润章
机构
武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室
日本东北大学金属材料研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第12期2823-2828,共6页
基金
国家教育部优秀青年教师基金
国家高技术研究发展计划和日本文部省青年奖励基金 (批准号 :12 75 0 5 91)资助的课题~~
文摘
系统地研究了Ba填充分数及Ni含量对n型BayNixCo4 -xSb1 2 (x =0— 0 .1,y =0— 0 .4 )化合物热性能及电性能的影响规律 .n型BayNixCo4 -xSb1 2 的热导率随Ba填充分数的增加而显著下降 ,当Ba填充分数为 0 .3时 ,热导率随Ni含量的增加而降低 ,在x =0 .0 5时 ,热导率达到最小值 ,晶格热导率随Ni含量的增加单调降低 .电子浓度和电导率随Ba填充分数及Ni含量的增加而增加 ,塞贝克系数则随Ba填充分数及Ni含量的增加而减小 .对于Ba0 .3Ni0 .0 5Co3.95Sb1 2 试样 ,得到了 1.2最大无量纲热电性能指数ZT .
关键词
BayNixCo4-xSb12
化合物
n
型
方钴矿
化合物
填充
置换
热电性能
热电材料
热性能
电性能
热导率
Keywords
n type skutterudite, filling, substitution, thermoelectric properties
分类号
O482.6 [理学—固体物理]
原文传递
题名
提高热电材料优值的方法研究(英文)
3
作者
徐国栋
陈哲
机构
南昌工程学院机械与电气工程学院
出处
《南昌工程学院学报》
CAS
2013年第1期6-9,65,共5页
基金
Supported by Jiangxi Science and Technology Support Program(No.20112BBE50012)~~
文摘
热电材料是一种将热能与电能进行互相转换的功能材料,其转换效率取决于材料的热电优值Z.详细讨论了当前提高热电材料优值的几种途径:向晶格掺入杂质元素改变晶格结构;发展纳米技术制备纳米薄膜、纳米线材或纳米颗粒;制备方钴矿型化合物、功能梯度材料、准晶材料和Half-Heusler合金等新型热电材料.
关键词
热电材料
制备
方钴矿型化合物
纳米材料
Keywords
thermoelectric materials
preparation
skutterudites
nanometer materials
分类号
TB32 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
利用离子束溅射法制作CoSb3薄膜及其热电特性
4
作者
蒋修治
出处
《金属材料研究》
2002年第2期60-64,共5页
文摘
为了合成CoSb3化合物薄膜,利用离子溅射法制作了Co/Sb多层薄膜,并在真空条件下于673K至773K温度范围内进行1-3h的退火。利用X射线衍射和透射电子显微技术评价了化学组分和退火条件对CoSb3相变的影响,研究了退火薄膜在高温下的热电特性。所得结果是:在70-85%Sb相当宽的组分范围内,成功地合成了CoSb3单相薄膜,CoSb3薄膜显现出P-型半导体特性,并且发现其热电转移特性几乎接近已报导的块材。研究还发现CoSb3薄膜的粒度、电导率和塞贝克系数取决于其退火后的化学组分。
关键词
离子束溅射
热电材料
方钴矿型化合物
薄膜热电元件
多层薄膜
固相反应
热电特性
分类号
TN37 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
熔体旋甩法制备p型填充式方钴矿化合物Ce_(0.3)Fe_(1.5)Co_(2.5)Sb_(12)的微结构及热电性能
郭全胜
李涵
苏贤礼
唐新峰
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
原文传递
2
n型Ba_yNi_xCo_(4-x)Sb_(12)化合物的热电性能
唐新峰
陈立东
後藤孝
平井敏雄
袁润章
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
22
原文传递
3
提高热电材料优值的方法研究(英文)
徐国栋
陈哲
《南昌工程学院学报》
CAS
2013
0
下载PDF
职称材料
4
利用离子束溅射法制作CoSb3薄膜及其热电特性
蒋修治
《金属材料研究》
2002
0
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