温度变化对TiAlCN涂层耐蚀性和钝化膜性能的影响

目的研究不同温度的3.5%(质量分数)NaCl溶液中TiAlCN涂层耐腐蚀性能的变化,并进一步探究温度对涂层表面钝化膜性能的影响。方法采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪和X射线光电子能谱仪(XPS)表征涂层的微观形貌和物相组成;通过动电位极化、电化学阻抗谱实验评估TiAlCN涂层的耐腐蚀性;进一步,先通过恒电位极化使涂层表面生成稳定的钝化膜,再利用X射线光电子能谱仪和Mott-Schottky测试探究钝化膜结构和半导体性质。结果TiAlCN涂层表面存在凹坑、颗粒和针孔,截面呈现出明显的柱状晶结构;涂层为面心立方结构,主要由TiC、TiN相组成;随着温度的升高,腐蚀电流密度及钝化电流密度增加,容抗弧直径减小,涂层的耐蚀性降低;TiAlCN涂层钝化膜的主要成分为Al_(2)O_(3)和TiO_(2),且二者含量随着温度的升高而减小。在20℃和80℃的温度条件下,TiAlCN涂层的钝化膜表现出n型半导体性质,且钝化膜的施主密度值从1.14×10^(16)cm^(-3)增加到3.27×10^(16)cm^(-3),钝化膜的保护能力降低。结论温度对TiAlCN涂层的耐腐蚀性有显著影响,高温会降低钝化膜的致密性及增加施主密度,使钝化膜的保护性降低,从而降低涂层的耐蚀性。

施主型界面态引起深亚微米槽栅PMOS特性的退化

基于流体动力学能量输运模型 ,对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面 PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究 ,并与受主型界面态的影响进行了对比 .研究结果表明同样浓度的界面态在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件 ,且 N型施主界面态密度对器件特性的影响远大于 P型界面态 ,N型施主界面态引起器件特性的退化趋势与 P型受主界面态相似 ,而 P型施主界面态则与 N型受主界面态相似 .沟道杂质浓度不同 。

施主型界面态引起槽栅PMOSFET性能退化的特征

基于流体动力学能量输运模型 ,对沟道杂质浓度不同的深亚微米槽栅和平面 PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究 .研究结果表明同样浓度的界面态密度在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件 ,且电子施主界面态密度对器件特性的影响远大于空穴界面态 .特别是沟道杂质浓度不同 ,界面态引起的器件特性的退化不同 .沟道掺杂浓度提高 ,同样的界面态密度造成的漏极特性漂移增大 .

稀土铈对Fe-3Cr钝化膜电化学腐蚀行为的影响

利用电容测试法和电化学阻抗谱技术研究了稀土Ce对Fe-3Cr合金在1mol/L NaHCO3+0.5mol/L Na2CO3缓冲溶液中所形成的钝化膜电化学腐蚀行为的影响。结果表明:稀土Ce能大大降低钝化膜内的施主密度,使膜电阻和离子在膜内的传递电阻增大,导致离子在膜内的扩散能力降低。稀土的加入可以增强基体合金在含有Cl-缓冲溶液中的耐腐蚀性能。

铅阳极膜的半导体性能

利用微分电容法结合Mott-Schottky理论研究铅电极1.28V(vsSCE)下硫酸溶液中所形成阳极腐蚀膜的半导体性质,同时对测试频率、成膜时间及成膜溶液pH值等影响膜半导体性能的因素也做了分析。结果表明:铅阳极膜具有n型半导体特性,施主密度ND随测试频率的增加而减小,随极化时间的延长而增加,随溶液pH值的增加而减小。溶液pH值的改变可以显著影响膜的平带电位EFB,两者间呈线性关系,拟和斜率为60.43。

锑在硼砂溶液中阳极极化膜半导体性质的研究（续）

本工作利用白光电流和交流阻抗法研究了锑在０．０５ｎ１Ｏｌ·ｄｍ￣（－３）Ｎａ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７＋、０．５ｍｏｌ·ｄｍ“Ｎａ２Ｓｏ４溶液中（ＰＨ一９．ｌ，３０Ｃ）于１．２ｖ（ｖＳ。ＳＣＥ）阳极形成膜的半导体性质。实验结果表明，该阳极膜是一种ｎ型半导体，其平带电位为一０．３６Ｖ，施主密度为２．８×ｌ０￣１８ｃｍ￣（－３）。讨论了锑增加对在硫酚溶液中形成的阳极ｐｂ（Ⅱ）氧化物膜生长的影响。