双施主对受主补偿的BaTiO_3系PTCR材料的影响

采用过剩施主二次掺杂法,研究双施主二次掺杂时两种施主相对比例不同对于BaTiO3材料性能的影响,发现过剩施主二次掺杂对受主杂质进行补偿比一次掺杂效果好,在相同掺杂量的情况下,可获得更大的PTC效应和更低的室温电阻率。采用Sb、Y过剩双施主对受主进行补偿,当双施主相对比例变化时,存在PTCR材料3α0°C=0.4°C-1的极大值。采用过剩双施主对受主进行补偿,可获得升阻比>7,温度系数3α0°C>0.3°C-1的PTCR材料,有效地降低原料成本。

La_2O_3施主对(MgCoNi)O系材料导电性能的影响

对少量La^2O^3施主掺杂的(MgCoNi)O系样品在不同测试温度下的电导与氧分压关系进行了研究。实验发现,施主杂质有两方面的作用:当施主含量较低时,以缺位补偿为主;当施主含量较高时,电子补偿占优势,随着施主含量的增加,由缺位补偿向电子补偿过渡,表明施主对材料的高温缺陷结构具有相当重要的影响,缺陷结构受测试温度的影响也很明显。

施主掺杂提高ZnO压敏电阻的冲击稳定性

研究了铝铟共掺杂对ZnO压敏电阻的微观结构和电学性能的影响,特别是浪涌冲击稳定行为。采用X射线衍射、扫描电子显微镜对ZnO压敏电阻的微观结构进行了表征,通过电流—电压测试、脉冲电流冲击测试和电容—电压测试对电性能进行了评估。结果表明:当Al^(3+)和In^(3+)掺杂量分别为0.0008 mol%和0.0033 mol%时,ZnO压敏电阻表现出了最佳的电性能;此时的电位梯度为95.3 V·mm^(-1)、非线性系数为74、残压比为2.43。另外,ZnO压敏电阻在8/20μs 10 k A电流下冲击20次后,正反压敏电压变化率分别为+3.30%和-6.67%。

双施主掺杂对BaTiO_3基PTC陶瓷性能的影响

研究了Nb2O5和Y2O3双施主一次掺杂对PTC BaTiO3陶瓷性能的影响。探讨了Nb2O5和Y2O3的作用机制,结果表明:Nb2O5主要是起施主作用;而Y2O3既可作为施主,又可起受主作用。添加适量的Y2O3,不仅可以降低电阻率,还可以提高升阻比。另外,还对改变施主掺杂顺序所产生的PTC效果进行了比较,发现施主二次掺杂的效果不如一次掺杂好。

双施主掺杂BaTiO_3半导体陶瓷材料的研究

以 Sb2 O3单施主和 Y2 O3+ Nb2 O5 双施主作为半导化元素 ,对低阻 Ba Ti O3半导体陶瓷的 PTCR特性进行了研究 ,通过不同的掺杂方式及工艺得到了低电阻率 PTC陶瓷材料 ,室温电阻率ρ2 5 =4· 49Ω· cm ,温度系数 αT=6 .0 4× 10 - 2 °C- 1 ,升阻比 β=1.0× 10 3,对低阻 PTC材料进行了探讨。

中子辐照直拉硅退火后的施主行为

利用多种实验手段对中子辐照直拉硅退火过程中特有的施主效应进行了研究；探讨了不同中子辐照注量以及氧对施主形成的影响；报道了低于７５０℃热处理所产生的“施主平台”现象。崐实验结果表明，该施主在禁带中产生～４３ＭｅＶ的浅施主能级，它的结构为辊照缺陷与硅、二氧化硅以及碳等组成的亚稳态络合物，其电活性起源于硅和二氧化硅沉淀的界面态。

SrTiO_3双功能陶瓷的施主掺杂研究

研究了２５％Ｎ_２＋７５％Ｈ_２（体积分数）强还原烧结气氛下施主添加剂 Ｎｂ_２Ｏ_ ５、Ｌａ_２Ｏ_３对ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷半导化的作用规律，结果表明随着添加量的增大， Ｎｂ_２Ｏ_５掺杂试样的表观电阻率单调下降，而 Ｌａ_２Ｏ_３掺杂试样的表观电阻率呈“ Ｕ”形曲线．研究了在 Ｌａ_２Ｏ_３高、低两种添加量下，烧结温度对半导化的作用规律，实验结果表明随着烧结温度的升高，高掺杂试样的表观电阻率逐渐上升，而低掺杂试样逐渐下降．在ＸＲＤ、ＩＲ、ＰＡＴ等现代测试手段分析的基础上。

纤锌矿GaN柱形量子点中类氢施主杂质态

在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(QD)尺寸以及杂质在量子点中位置的变化,并与以前使用不同尝试波函数的计算结果进行了比较。结果表明:由我们选取的两变分参数波函数得到的结果与前人选取的两变分参数波函数得到的结果相比有所改进,而与选取一个变分参数波函数得到的结果一致。同时我们还计算了体系的维里定理值随量子点半径的变化情况,所得结果与前人工作结果一致,说明本文选取的两变分参数波函数能很好地描述柱形量子点中施主杂质态的运动。

A位施主掺杂剂对PTC陶瓷性能的影响

通过阻温测试、SEM及XRD等测试分析手段,研究了不同A位施主掺杂剂对材料性能的影响,结果表明:与Sb2O3和Y2O3相比,以Bi2O3为A位施主掺杂剂时,试样的温度系数最大,高达46.42×10-2/℃。当升温速度为200℃/h时,试样的PTC效应得到了明显的改善。

施主掺杂对TiO_2氧敏材料缺陷化学的影响

对施主 V2 O5掺杂 Ti O2 材料的高温电导进行了详细的测试 ;XRD分析表明少量施主掺杂并未改变材料的金红石结构 ;施主掺杂样品在较高温度测试时 ,在高氧分压一侧 ,发生电导类型转变 ,从而使测氧范围变窄。运用缺陷化学分析法 。

氢退火对掺氮硅中氧施主电学行为的影响

本文主要研究了在氢气下退火对掺氮直拉硅中热施主 (TDs)和氮氧 (N O)复合体的影响。实验结果表明 ,在氢气下低温退火对热施主和N O复合体的生成与在氩气下差不多。这说明低温氢退火注入到硅中的氢的量很少 。

高温快速热处理对硅中热施主的影响

研究了不同气氛 (N2 、O2 、Ar)下高温快速热处理 (RTP)对热施主形成和消除特性的影响 .研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP ,对热施主的形成均无影响 .扩展电阻的分析结果表明 ,热施主在硅片纵向的分布是均匀的 .根据高温RTP后硅片的空位特征 ,认为点缺陷对热施主的形成特性无影响 .同时研究了高温RTP预处理对热施主消除特性的影响 ,发现氧气和氩气高温RTP的样品其生成的热施主经过 6 5 0℃退火即可消除 ,和普通的热施主消除特性相同 .而N2 气氛下高温RTP的样品 ,6 5 0℃退火后仍有部分施主存在 ,经 95 0℃退火才能彻底消除 ,这可能是由于RTP处理中发生氮的内扩散 ,在后续热处理中形成氮氧复合体浅施主中心所致 .

外加电场对GaN/Al_xGa_(1-x)N双量子阱中性施主束缚能的影响

在有效质量包络函数理论下,利用变分法计算了未加电场以及加入电场后GaN/Al_xGa_(1-x)双量子阱中施主杂质各种情况下的束缚能,讨论了双量子阱中间势垒高度、施主杂质位置对杂质束缚能的影响。给出了加入电场后施主位置不同时的束缚能和波函数,以及量子阱宽度不同时的束缚能,并且计算了未加电场和加入电场后中间势垒高度变化以及宽度不同时的束缚能。当双量子阱中间垒宽一定时,束缚能随着阱宽的变化会出现一个峰值。在阱宽一定时,随着中间垒宽度的增加,束缚能逐渐减小,并在垒宽增加到一定宽度时双量子阱情况与单量子阱情况相似,束缚能不再明显变化。计算结果对设计和研究GaN/Al_xGa_(1-x)N量子阱发光和探测器件有一定的参考价值。

气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究

以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800℃，900℃以上退火将被不可逆消除．指出NRD可能有N－O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式，各有不同的热处理行为．

Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结系统的施主能级

对单异质结界面系统 ,引入三角近似异质结势 ,利用变分法讨论在界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量 .对 Zn1-x Cdx Se/Zn Se系统的杂质态结合能做了数值计算 ,给出结合能随杂质位置、电子面密度和

施主能级分裂下的电子分布函数改进

在半导体材料中,谷轨道耦合作用使得施主能级发生分裂(Valley-orbit splitting)。通过引进电子在分裂能级上的配分函数和综合平均能量增量,得到了适用于施主能级分裂的分布函数。利用新得到的分布函数对掺As的Si和含N的6H-SiC进行最小二乘曲线拟合,得到的杂质热电离能与光电离能完全吻合。

双施主掺杂对高居里点PTC陶瓷性能的影响

在分别研究了Nb5+、Y3+掺杂对高温PTC陶瓷性能的影响后,得出结果:Y3+既可作为施主,又可起受主作用,还可以提高升阻比;Nb5+主要是起施主作用,但可以抑制Pb的挥发.为了能够使高温PTC陶瓷整体性能提高,因此结合Nb5+、Y3+各自的优点,用正交法对高温PTC陶瓷进行了双施主掺杂配方的试验,优选了最佳配方:Nb5+应该控制在0.06～0.08之间,Y3+控制在0.08～0.12之间较好.

施主型杂质对单晶硅中少子衰减过程的影响

单晶硅材料内少子的衰减过程可以反映出其内部杂质和缺陷的信息。针对施主型杂质是单晶硅内多数杂质呈现的基本形态,首先在小注入条件下分析了p型单晶硅内少子衰减的基本机制,然后根据施主型杂质密度、俘获截面和能级距导带底之间距离等参数的不同,重点讨论了存在施主型电子陷阱和复合中心时,太阳电池用p型单晶硅内少子衰减的基本规律。研究表明:存在施主型电子陷阱或复合中心时,p型单晶硅的少子衰减过程具有恒定的少子寿命,且杂质的密度N_T和俘获截面σ_n之积(N_T×σ_n)存在最小的影响阈值,N_T×σ_n值大于阈值的杂质和缺陷对少子衰减过程才具有重要的影响。

施主型界面态引起深亚微米槽栅PMOS特性的退化

基于流体动力学能量输运模型 ,对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面 PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究 ,并与受主型界面态的影响进行了对比 .研究结果表明同样浓度的界面态在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件 ,且 N型施主界面态密度对器件特性的影响远大于 P型界面态 ,N型施主界面态引起器件特性的退化趋势与 P型受主界面态相似 ,而 P型施主界面态则与 N型受主界面态相似 .沟道杂质浓度不同 。

不同施主掺杂对(Sr_(0.3)Ba_(0.7))TiO_3系热敏LPTC电阻率的影响

本文研究了 Nb2 O5、Y2 O3 或 Sb2 O3 不同施主掺杂对 Sr0 .3 Ba0 .7) Ti O3 热敏陶瓷 LPTCR的影响 ,并讨论了不同施主掺杂的不同半导化机理。发现在本实验条件下掺 Nb的 (Sr0 .3 Ba0 .7) Ti O3 热敏陶瓷为缓变形 LPTC,掺 Sb和 Y的 (Sr0 .3 Ba0 .7) Ti O3 热敏陶瓷为突变型 LPTC,且掺 Sb的 LPTC线性度最好 ,线性温区较宽。