电子辐照直拉硅退火后辐照施主行为的研究

利用多种实验手段对电子辐照直拉硅退火过程中辐照缺陷的施主效应进行了研究,同时探讨了不同辐照剂量、初始氧含量以及预处理对辐照施主形成的影响.实验结果表明,电子辐照直拉硅后其电阻率迅速增加,低温退火即可恢复真实值;辐照施主是氧施主-缺陷的复合体,其激活温度在750℃左右,低温预处理有助于辐照施主的异质形核.

砷压热处理对半绝缘GaAs性能的影响

采用 5种经不同砷压但相同生长温度 ( 1 0 0 0℃ )和时间 ( 5 h)处理的半绝缘 ( SI) Ga As样品 ,利用表面光伏 ( SPV)方法 ,测量和计算了 SI-Ga As在室温 ( 30 0 K)下的主要施主浓度 EL2 、禁带宽度 EgΓ和双极扩散长度 La,并从理论上给出了相应的解释 .

宽温区数字显示低温温度计

本文用半导体理论讨论了硅开关二极管在液氮至室温温区内不同注入情况下的电压一温度关系,并估算了非线性部分线性化后引入的误差;提出了误差小于0.5K,测温区为70～300K的工业用宽温区数字显示低温温度计的设计原则和传感器的工作方式。二极管传感器在整个温区内置于同一种注入方式时用单直线逼近V-T曲线误差较不同注入方式小。从各方面考虑,置二极管在电流小于1mA的大注入条件下工作较为有利。实验结果与理论分析基本符合。文中指出作为传感器的二极管其施主浓度应较低,这样,易使它在小电流下进入大注入,以改善大注入与二极管自热效应的矛盾。最后,介绍了LT-1型低温温度计。