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硅中的氮氧复合物及其施主行为 被引量：4
1
作者 刘培东 张锦心 +1 位作者 李立本 阙端麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第12期1064-1070,共7页
含氮ＣＺ硅的电学性能完全有别于含氮的ＦＺ硅和无氮的ＣＺ硅，研究表明，含氮ＣＺ硅能形成一种与氮有关的新施主，它随氮氧复合物的形成而形成，随氮氧复合物的消失而消失．文章进一步研究了氮—新施主的结构模型，并对氮—新施主的形... 含氮ＣＺ硅的电学性能完全有别于含氮的ＦＺ硅和无氮的ＣＺ硅，研究表明，含氮ＣＺ硅能形成一种与氮有关的新施主，它随氮氧复合物的形成而形成，随氮氧复合物的消失而消失．文章进一步研究了氮—新施主的结构模型，并对氮—新施主的形成和消除与热处理条件的关系进行了探讨． 展开更多
关键词 硅 氮氧复合物 施主行为 电学性能
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