ZnO:LiCl/p-Si薄膜中的施主-受主发光

用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在p-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃,O2-900℃热退火处理.在77～325K温度范围内作电流-温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DLTS测量获得的两种试样中存在一个稳定的深能级中心.(I-T)测量证实这个深能级中心是与ZnO的本征缺陷相关的.室温PL谱测量得到两种试样存在较强的深能级发光,而紫外发光较弱.由实验结果推测,试样主要的深能级发光过程是电子从双离化Zni**施主能级向单离化V'zn受主能级的跃迁.在O2气氛退火作用下深能级的发光强度增强.

Mg-F受主-施主共掺SnO2的第一性原理研究

利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法,研究了Mg-F受主-施主共掺杂SnO2的结构稳定性、能带结构、态密度及布居分布.结果表明,Mg-F掺杂能形成稳定的掺杂体系,在价带顶附近F 2p的态密度峰值强度较大,Mg-F原子之间杂化强,引入施主掺杂元素F有利于Mg受主掺杂的稳定性,同时Mg-O之间电子重叠布居值增大,原子之间的重叠增加,共有化增强,可使导电性能进一步提升.

Ag掺杂p型ZnO薄膜及其同质结的光电性质

采用磁控溅射技术在Si基片上生长了Ag掺杂的ZnO薄膜,XRD测试表明所得薄膜结晶性质良好,未出现Ag的分相。未掺杂和Ag掺杂氧化锌薄膜的低温(10K)光致发光(PL)谱显示:Ag的掺入使得中性施主束缚激子发射(D0X)显著减弱,并且在3.315eV处观测到了与Ag有关的施主-受主对(DAP)发射,受主缺陷的形成归因于掺入的Ag替位Zn。计算得到受主能级离价带顶约110meV。霍尔效应测得电阻率约0.1Ω.cm,迁移率约36cm2/V.s,空穴浓度约1.7×1018cm-3。在此基础上制备了ZnO∶Ag/ZnO的同质结,I-V测试显示了明显的整流特性,且反向漏电流很小。所有结果表明Ag掺杂的氧化锌薄膜已经转化为p型。

在Si上生长的外延GaAs的深能级研究(英文)

本文对在Si衬底上用金属—有机的化学汽相沉积法生长的GaAs外延膜中的1.04eV发射作了变温与变激发强度的近红外光致发光研究。该1.04eV发射可用由V_((As))^((1-))施主及V_((Ga))^((1-))受主所组成的施主—受主对的复合发光来给予很好解释。计及Franck-Condon位移及带隙移动之后,给出了施主—受主对复合发光的新的能量方程。

Fe掺杂对CdS光学特性的影响

采用低压金属有机化学气相沉积技术，在固定源流量的条件下，通过调节衬底温度（270～360℃）生长了不同Fe掺杂浓度的CdS薄膜。光谱测量表明低铁掺杂对CdS晶格振动的影响较小，但对光致发光性质影响较为明显。样品的光致发光谱包括两部分：2．5eV附近带-带跃迁的发光以及2．0～2．4eV之间与缺陷相关的发光。随着铁含量的增加，带-带跃迁逐渐被抑制，发光光谱被缺陷相关的发光主导，同时薄膜的电导也由n型转为p型，说明Fe离子掺入在薄膜引入了受主杂质。通过不同激发密度下的光致发光光谱测量，我们将2．0～2．4eV的发光归结为铁受主相关的D—A对发射，并根据掺杂浓度和发光峰位置估算了Fe受主的能级位置。

两相流动中自由界面的数值模拟

用一个体积分数F来定义流体区域,并用它来跟踪自由界面的运动。在界面控制方程的离散过程中使用了施主—受主格式,保证了函数F的阶梯性,防止了自由界面在演变过程中发散。对大坝坍塌和垂直管静止液体中Taylor气泡的上升运行,运用模型进行了模拟,取得了满意的结果。

石英的热发光及其在地学中的应用

简要介绍了石英热发光的模型及石英热发光温度与其所含不等价类质同象的关系。成分纯净石英没有热发光现象;含有Al-O-心的只有一个热发光峰;既有Al-O-心又有Ti-O-心的有两个发光峰。有两个以上热发光峰的为含金石英,只有一个热发光峰的为不含金石英,用石英发光峰的多少可以判别含矿岩体和非矿岩体。

网状结构ZnO团聚物的制备和光致发光性能

通过对共沉淀方法制备的Zn(OH) 2 进行足够时间 (70min)的超声处理制备了具有网状结构的ZnO纳米团聚 (WLSZC)。采用高分辨率电子显微镜 (TEM)和光致发光 (PL)谱等方法对所制备的样品进行表征。在WSLZC的网状结构中 ,观察到了每一条边由一个单晶组成的多边形网状结构。PL测试表明 ,所有制备的样品都具有 4 6 9nm的发光峰。WSLZC的PL的强度比只有普通结构的纳米粉末ZnO要大 8～ 1 4倍。在所有超声处理的样品中都能观察到四重分裂的“施主 受主“跃迁峰。

硅基硒纳米颗粒的发光特性研究

由于尺寸缩小引起的量子效应,硒(Se)材料的低维纳米结构具有更高的光响应和低的阈值激射等特性,因此成为纳米电子与纳米光电子器件领域一个重要的研究方向.本文通过对非晶硒薄膜的快速热退火来制备硒纳米颗粒,退火温度在100—180 C之间时,结晶后的硒纳米颗粒均为三角晶体结构,其颗粒尺寸随退火温度的增加而线性增大.光致发光谱测试发现三个发光峰,分别位于1.4 eV,1.7 eV和1.83 eV.研究发现位于1.4 eV处的发光峰来源于非晶硒缺陷发光,位于1.83 eV处的发光峰来源于晶体硒的带带跃迁发光;而位于1.7 eV处的发光峰强度随激发功率增强而指数增大,且向短波长移动,该发光峰应该来源于非晶硒与硒纳米颗粒界面处的施主-受主对复合发光.