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基于CMOS工艺的低噪声高稳定性LDO的设计 被引量:2
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作者 徐静萍 来新泉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1056-1059,共4页
介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理。重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路。整个电... 介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理。重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路。整个电路采用HYNIX 0.5μmCMOS工艺实现,基于HSPICE进行仿真验证,输出噪声为1μV(rms),典型环路增益为60 dB,相位裕度65°,证明了稳压器的低噪声和高稳定性。 展开更多
关键词 LDO线性稳压器 旁路滤噪 动态补偿
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