空气中旋涂热解快速制备高化学计量比SnS_2薄膜

为快速制备高化学计量比的SnS_2薄膜,介绍了一种简单的旋涂热解法,以Sn Cl4·5H2O和硫脲分别为Sn源和S源,在空气中及热解温度分别为200℃、260℃和320℃时制备了系列SnS_2薄膜,这是首次使用旋涂热解法制备SnS_2薄膜的尝试。采用EDS、XRD、Raman、SEM、UV-Vis等手段研究了热解温度对SnS_2薄膜元素组成、晶相、形貌、光学吸收等的影响,在热解温度为260℃且仅需热解2 min条件下,获得了Sn/S原子比为1/1.98的高化学计量比SnS_2薄膜,该薄膜直接禁带宽度为2.50 e V,非常适合作为太阳能电池窗口层。

旋涂热解法制备高化学计量比的SnS薄膜

为制备高化学计量比的SnS薄膜,使用一种简单的旋涂热解法,在空气中以载玻片和FTO为衬底,在热解温度分别为280℃、320℃和360℃条件下制备了系列SnS薄膜,并采用EDS、XRD、Raman、SEM、UV-Vis-NIR等手段研究了热解温度对SnS薄膜元素组成、晶相、形貌、光学吸收等的影响。结果表明,在热解温度为320℃热解10min时,获得的SnS薄膜Sn/S的原子比为1/0.99,直接禁带宽度为1.46eV,十分接近太阳能电池吸收层的最佳禁带宽度1.50eV,在太阳能电池吸收层材料领域具有重要潜在应用价值。

旋涂热解结合快速退火制备SnS薄膜及表征

使用一种简单的旋涂热解法结合快速退火,在空气中以载玻片玻璃和FTO为衬底,在热解温度分别为280、320、360℃的条件下制备了一系列具有高化学计量比的硫化亚锡薄膜,并采用元素分析、X射线衍射分析、拉曼光谱分析、场发射扫描电镜分析、紫外可见近红外分析等表征方法,对以上温度所制备硫化亚锡薄膜的Sn/S原子比、薄膜晶相、表面和断面形貌、紫外光区至近红外光区的光吸收做了系统研究。结果表明,在320℃的热解温度和10 min的热解时间条件下,获得的硫化亚锡薄膜中Sn/S的原子比达到1/0.99,直接禁带宽度达到1.46 e V,与太阳能电池吸收层1.50 e V的最佳禁带宽度非常接近。使用该法制备的高化学计量比的硫化亚锡薄膜,在太阳能电池吸收层材料领域具有重要的潜在应用价值。