Zn-Ti联合取代对LiZnTiMn铁氧体微结构和旋磁性能的影响

用固相反应法制备Zn-Ti联合取代的Li_(0.42)Zn_(x)Ti_(x-0.16)Fe_(2.637-2x)Mn_(0.1)Bi_(0.003)O_(4)(LiZnTiMn铁氧体,x=0.16~0.50),分析了材料的相结构、微观结构和旋磁性能。890℃烧结样品获得了单一的尖晶石结构。Zn-Ti联合取代有促进烧结的作用,并且可以改变材料的磁晶各向异性常数和Fe2+离子含量,从而降低了铁磁共振线宽和介电损耗;同时,分子磁矩减小和超交换作用减弱导致材料的饱和磁化强度和居里温度下降。在Zn-Ti取代量x=0.35、烧结温度为890℃的条件下,获得了高饱和磁化强度(约3913 G)、高居里温度(约304℃)、低铁磁共振线宽(约97 Oe)、低介电损耗(损耗正切约3.82×10^(-4))的材料。

Bi_2O_3含量对NiCuZn旋磁铁氧体基板材料性能的影响

采用氧化物法制备了NiCuZn铁氧体材料,研究了Bi2O3掺杂对其旋磁性能的影响。结果表明,在1～4wt%的范围内,随着Bi2O3含量的提高,铁磁共振线宽△H和介电损耗角正切tgδε都呈现出先减小后上升的趋势;并且在掺杂量为3wt%、烧结温度为900℃时,△H<15kA/m、tgδε=6.5×10-4、Ms>300kA/m,可用于低温共烧旋磁铁氧体基板的制备。

入射角对微波在面内各向异性磁性薄膜中传播特征的影响

基于Maxwell方程组，探讨了面内各向异性磁性薄膜内磁导率的旋磁特性对微波在膜内传播性质的影响，揭示出不同角度入射的微波在膜内的传播性质具有显著差异。

应用于STT-MRAM存储器的高可靠灵敏放大器设计

自旋转移矩磁性随机存储器(STT-MRAM)以其非易失性、速度快、数据保持时间长等优势被认为是最有潜力的新型存储技术之一。然而,由于磁性隧道结(MTJ)的温度相关性,其隧穿磁阻率(TMR)在高温下会变低,对高可靠灵敏放大器的设计提出了更高的要求。基于2T-2MTJ存储单元,设计了一款可以工作在宽温度范围内的高灵敏度放大器。在-40~125℃的温度范围内,该灵敏放大器在TMR为50%时仍具有较高的灵敏度,保证了STT-MRAM的读可靠性。

从Mott绝缘体到高温超导体:自旋磁性与超导电性的互偶关系

作者最近的一项理论工作对高温超导体作为一种掺杂Mott绝缘体进行了新的探索 ,得到一个长波低能极限的有效理论 ,强调了自旋反铁磁性和超导电性之间的拓扑互偶关系 .这个理论能够为一大类具有本质性和挑战性的高温超导现象提供简明的解释 ,给出掺杂Mott绝缘体的超导电性的“指纹”特征 ,并给出若干有趣的理论预言 .

磁致电阻效应的最新研究进展及其在信息存储领域的应用

介绍了磁致电阻效应在信息存储领域的研究现状和发展趋势,总结了巨磁电阻效应、隧道巨磁电阻效应以及自旋传输矩效应的理论模型,分析了这些磁致电阻效应的物理机制。

铁氧体微带结环形器理论介绍及EDA设计

介绍了微波铁氧体特性，一般铁氧体环形器的工作原理，Y结环形器的工作原理，铁氧体环形器设计的要点。并在此基础上，进行了Ku波段的Y结环形器的小型化设计。

磁性物质中冷无序能的作用

在研究物质的磁性时 ,考虑了电子之间的正交换能 (A1 >0 ,导致电子自旋平行排列 )和负交换能 (A2 <0 ,导致电子自旋反平行排列 )两项各自的物理作用 ,不是简单地只以它们的代数和为判据 .提出冷无序能的概念 :当A1 >|A2 |(A =A1 - |A2 |>0 )时 ,A1 为有序能 ,A2 为冷无序能 ;当A1 <|A2 |(A <0 )时 ,A2 为有序能 ,A1 为冷无序能 .物质的磁性决定于热运动能、有序能以及冷无序能之间的竞争 .考虑了冷无序能导致“冷无序”的物理功能 ,将冷无序能变换为等效温度 ,在统计物理的框架内处理了铁磁性、反铁磁性转变和自旋玻璃冻结问题 .A2 =0的体系具有Weiss铁磁性 ,|A2 |A1=1的体系表现自旋玻璃磁性 ,1>|A2 |A1>0的体系同时具有铁磁性和自旋玻璃磁性 ,1>A1 |A2 |>0的体系同时具有反铁磁性和自旋玻璃磁性 .

自旋转移矩效应激发的非线性磁化动力学

本文基于宏观磁矩(macrospin)的Landau-Lifshitz-Gilbert方程,模拟研究了磁性自旋阀结构中由垂直膜面流向的自旋极化电流所激发的磁化转动动力学特性.直流自旋极化电流借助自旋转移矩效应可驱动磁矩翻转或作周期性振荡,交流电可以激发出具有混沌行为的磁矩振荡.展示了磁矩振荡行为随电流强度变化而发生倍周期分岔、直至混沌振荡的行为规律.

随机横场与晶场作用混合自旋系统的热力学性质

利用有效场理论和切断近似 ,在伊辛模型的框架内考虑随机横场与晶场作用的混合自旋 1 2和自旋 1系统的热力学性质。重点研究了晶场、横场和随机浓度对混合自旋系统相变的影响 ,研究发现在随机横场条件下 ,较小的晶场存在并不能改变临界横场阈值 ;取较大横场值时在某些随机浓度的范围内出现重入相变现象 ,而取较小横场值时则没有出现重入相变现象。给出了有关相图并进行了讨论。