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坩埚加速旋转-垂直下降法晶体生长设备的研制 被引量：5
1
作者 谷智 李国强 +1 位作者 介万奇 郭平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期346-350,共5页
根据CdZnTe等Ⅱ Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求 ,设计制造了坩埚加速旋转 垂直下降法 (ACRT VBM)晶体生长系统。本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择 ,给出了系统的基本结构。晶体生长炉的温度控制... 根据CdZnTe等Ⅱ Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求 ,设计制造了坩埚加速旋转 垂直下降法 (ACRT VBM)晶体生长系统。本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择 ,给出了系统的基本结构。晶体生长炉的温度控制精度为± 1℃ ,系统的速度均匀度为± 0 .0 0 15mm/h。该系统的性能指标满足生长直径30mm的CdZnTe晶体的要求。 展开更多
关键词 坩埚加速旋转-垂直下降法 晶体生长设备 研制 CDZNTE 半导体 Ⅱ-Ⅵ族化合物
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亚洲晶体生长和技术的发展
2
作者 王继扬 《国际学术动态》 2004年第6期20-22,共3页
应亚洲晶体生长和晶体技术协会(ASCGCT)主席、韩国汉阳大学工学院院长吴根镐(Keun Ho Auh)教授的邀请，笔者于2003年11月13-16日代表蒋民华院士和陈创天院士访问了韩国汉阳大学，
关键词 晶体生长 旋转坩埚加速法 单晶生长 超导晶体生长
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