LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长

利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度下生长ZnO时,薄膜中容易形成30°旋转畴,而在较高温度下,可完全消除薄膜中的旋转畴,得到具有单一畴的ZnO单晶薄膜,讨论了旋转畴的起源以及生长温度对于消除旋转畴的作用.锐利的3×3 RHEED图像验证了ZnO薄膜具有O极性.

过饱和乙醇溶液重结晶导致三苯基膦单斜结构到正交相的相变

本文利用透射电子显微术和X-射线衍射,研究发现单斜结构三苯基膦在过饱和乙醇溶液重结晶后形成了新的三苯基膦正交相。确定该正交相的晶格常数a=0.914 nm,b=0.976 nm,c=0.532 nm1。文中提出了三苯基膦从单斜晶系到正交晶系相变过程的形成机理。三苯基膦正交相最可能的空间群类型是I212121。伴随着相变行为的发生,在新的三苯基膦正交相中发现了具有伪12次对称性的36°旋转畴微结构。

无序超结构Na_(5)W_(14)O_(44)的制备与原子尺度表征

本文采用热氧化法制备了单晶(800℃)和具有无序超结构(600℃)的Na_(5)W_(14)O_(44)纳米片,利用扫描透射电子显微技术在原子尺度解析了无序超结构样品中单胞厚度的层状旋转畴结构。旋转畴的旋转角为120°和180°,不同厚度的旋转畴无序地拼接在一起构成无序超结构Na_(5)W_(14)O_(44)。根据群论的知识,从理论上解释了旋转畴结构形成的原因,结合实验确定了120°旋转的2种取向关系。本文加深了对复杂畴结构Na_(5)W_(14)O_(44)生长机理的理解,为调控层状结构的钠钨青铜材料的结构和性能提供了重要参考。

La位Dy替代对La_(0.67-x)Dy_xSr_(0.33)MnO_3体系磁性的影响

研究了La0.67-xDyxSr0.33MnO3磁结构的变化规律,结果表明,所有样品在居里温度TC处发生顺磁-铁磁相变,掺杂样品在TN<T<TC温区进入团簇玻璃态,且在低温区出现反铁磁现象;高掺杂样品M-T曲线在奈耳温度TN处出现磁化强度峰.用替代离子的磁性效应对磁结构的变化规律进行了解释,La(Dy)亚晶格的磁畴旋转导致出现磁化强度峰.