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旋转CVI制备C/SiC复合材料 被引量:6
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作者 肖鹏 徐永东 +1 位作者 张立同 成来飞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期903-908,共6页
旋转 CVI是在 CVI原理基础上发展的一种制备 C/SiC复合材料的新工艺,通过石墨衬底的旋转,使预制体的制备与基体的沉积同步进行,能有效消除一般CVI工艺过程中存在的“瓶颈”效应.在自制的旋转 CVI设备上实验,探索... 旋转 CVI是在 CVI原理基础上发展的一种制备 C/SiC复合材料的新工艺,通过石墨衬底的旋转,使预制体的制备与基体的沉积同步进行,能有效消除一般CVI工艺过程中存在的“瓶颈”效应.在自制的旋转 CVI设备上实验,探索了旋转 CVI工艺参数中 CH3SiCl3(MTS)的流量与浓度、沉积温度和C布缠绕线速度对SiC基体沉积速度,以及沉积温度对基体结构的影响.并在低压(5kPa)、高温 (1100℃)、 400 mL·min-1 H2、 200 mL·min-1Ar、 MTS40℃与C布以1.1~3.5mm·min-1的线速度连续旋转的沉积条件下,实现了单丝纤维间微观孔隙、纤维束之间以及C布层间宏观孔隙的致密化同步完成. 展开更多
关键词 旋转cvi 复合材料 碳化硅 陶瓷
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旋转CVI制备陶瓷基复合材料碳界面层
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作者 肖鹏 徐永东 +1 位作者 张立同 成来飞 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 1999年第4期27-31,共5页
用旋转CVI工艺,通过优化工艺参数,在低压(5kPa)、高温(1100℃)、高C3H6 浓度(62.5vol% )以及3.5m m ·m in- 1 碳布旋转线速度条件下,在二维碳布上快速制备了厚度均匀(0.25μm )... 用旋转CVI工艺,通过优化工艺参数,在低压(5kPa)、高温(1100℃)、高C3H6 浓度(62.5vol% )以及3.5m m ·m in- 1 碳布旋转线速度条件下,在二维碳布上快速制备了厚度均匀(0.25μm )、表面规整的致密热解碳界面层。实验结果表明:沉积温度对界面层表面状况有较大的影响;采用减压法与优化沉积炉结构与几何尺寸,能有效防止高温高C3H6 浓度下炭黑的形成。 展开更多
关键词 旋转cvi 陶瓷基复合材料 热解碳 界面层 炭黑
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