旋转CVI制备C/SiC复合材料

旋转 ＣＶＩ是在 ＣＶＩ原理基础上发展的一种制备 Ｃ／ＳｉＣ复合材料的新工艺，通过石墨衬底的旋转，使预制体的制备与基体的沉积同步进行，能有效消除一般ＣＶＩ工艺过程中存在的“瓶颈”效应．在自制的旋转 ＣＶＩ设备上实验，探索了旋转 ＣＶＩ工艺参数中 ＣＨ３ＳｉＣｌ３（ＭＴＳ）的流量与浓度、沉积温度和Ｃ布缠绕线速度对ＳｉＣ基体沉积速度，以及沉积温度对基体结构的影响．并在低压（５ｋＰａ）、高温 （１１００℃）、 ４００ ｍＬ·ｍｉｎ－１ Ｈ２、 ２００ ｍＬ·ｍｉｎ－１Ａｒ、 ＭＴＳ４０℃与Ｃ布以１．１～３．５ｍｍ·ｍｉｎ－１的线速度连续旋转的沉积条件下，实现了单丝纤维间微观孔隙、纤维束之间以及Ｃ布层间宏观孔隙的致密化同步完成．

旋转CVI制备陶瓷基复合材料碳界面层

用旋转ＣＶＩ工艺，通过优化工艺参数，在低压（５ｋＰａ）、高温（１１００℃）、高Ｃ３Ｈ６ 浓度（６２．５ｖｏｌ％ ）以及３．５ｍ ｍ ·ｍ ｉｎ－ １ 碳布旋转线速度条件下，在二维碳布上快速制备了厚度均匀（０．２５μｍ ）、表面规整的致密热解碳界面层。实验结果表明：沉积温度对界面层表面状况有较大的影响；采用减压法与优化沉积炉结构与几何尺寸，能有效防止高温高Ｃ３Ｈ６ 浓度下炭黑的形成。