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混合键合技术在三维堆叠封装中的研究进展
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作者 赵心然 袁渊 +1 位作者 王刚 王成迁 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第3期190-198,共9页
随着半导体技术的发展,传统倒装焊(FC)键合已难以满足高密度、高可靠性的三维(3D)互连技术的需求。混合键合(HB)技术是一种先进的3D堆叠封装技术,可以实现焊盘直径≤1μm、无凸点的永久键合。阐述了HB技术的发展历史、研究进展并预测了... 随着半导体技术的发展,传统倒装焊(FC)键合已难以满足高密度、高可靠性的三维(3D)互连技术的需求。混合键合(HB)技术是一种先进的3D堆叠封装技术,可以实现焊盘直径≤1μm、无凸点的永久键合。阐述了HB技术的发展历史、研究进展并预测了发展前景。目前HB技术的焊盘直径/节距已达到0.75μm/1.5μm,热门研究方向包括铜凹陷、圆片翘曲、键合精度及现有设备兼容等,未来将突破更小的焊盘直径/节距。HB技术将对后摩尔时代封装技术的发展起到变革性作用,在未来的高密度、高可靠性异质异构集成中发挥重要的作用。 展开更多
关键词 (HB) 先进封装 三维(3D)堆叠 无凸点键合 范德华力
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