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混合键合技术在三维堆叠封装中的研究进展
1
作者
赵心然
袁渊
+1 位作者
王刚
王成迁
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第3期190-198,共9页
随着半导体技术的发展,传统倒装焊(FC)键合已难以满足高密度、高可靠性的三维(3D)互连技术的需求。混合键合(HB)技术是一种先进的3D堆叠封装技术,可以实现焊盘直径≤1μm、无凸点的永久键合。阐述了HB技术的发展历史、研究进展并预测了...
随着半导体技术的发展,传统倒装焊(FC)键合已难以满足高密度、高可靠性的三维(3D)互连技术的需求。混合键合(HB)技术是一种先进的3D堆叠封装技术,可以实现焊盘直径≤1μm、无凸点的永久键合。阐述了HB技术的发展历史、研究进展并预测了发展前景。目前HB技术的焊盘直径/节距已达到0.75μm/1.5μm,热门研究方向包括铜凹陷、圆片翘曲、键合精度及现有设备兼容等,未来将突破更小的焊盘直径/节距。HB技术将对后摩尔时代封装技术的发展起到变革性作用,在未来的高密度、高可靠性异质异构集成中发挥重要的作用。
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关键词
混
合
键
合
(HB)
先进封装
三维(3D)堆叠
无凸点键合
范德华力
下载PDF
职称材料
题名
混合键合技术在三维堆叠封装中的研究进展
1
作者
赵心然
袁渊
王刚
王成迁
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第3期190-198,共9页
文摘
随着半导体技术的发展,传统倒装焊(FC)键合已难以满足高密度、高可靠性的三维(3D)互连技术的需求。混合键合(HB)技术是一种先进的3D堆叠封装技术,可以实现焊盘直径≤1μm、无凸点的永久键合。阐述了HB技术的发展历史、研究进展并预测了发展前景。目前HB技术的焊盘直径/节距已达到0.75μm/1.5μm,热门研究方向包括铜凹陷、圆片翘曲、键合精度及现有设备兼容等,未来将突破更小的焊盘直径/节距。HB技术将对后摩尔时代封装技术的发展起到变革性作用,在未来的高密度、高可靠性异质异构集成中发挥重要的作用。
关键词
混
合
键
合
(HB)
先进封装
三维(3D)堆叠
无凸点键合
范德华力
Keywords
hybrid bonding(HB)
advanced packaging
three-dimensional(3D)stacking
bumpless bonding
van der Waals force
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
混合键合技术在三维堆叠封装中的研究进展
赵心然
袁渊
王刚
王成迁
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
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