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一种无凹槽壁的预制预应力叠合梁柱节点施工技术研究
1
作者
张明明
张瑜开
《江苏建筑》
2024年第4期81-85,共5页
文章从试验研究和现场实践两个方面,阐述无凹槽壁的预制预应力叠合梁柱节点的应用情况。在试验研究方面,通过对3个试件的低周反复试验,研究试件的破坏形态、耗能、延性和强度指标,并提出试验结论;在现场实践方面,通过具体工程案例,阐述...
文章从试验研究和现场实践两个方面,阐述无凹槽壁的预制预应力叠合梁柱节点的应用情况。在试验研究方面,通过对3个试件的低周反复试验,研究试件的破坏形态、耗能、延性和强度指标,并提出试验结论;在现场实践方面,通过具体工程案例,阐述无凹槽壁的预制预应力叠合梁柱节点在节点优化设计、钢筋连接、模板安装等方面的实施情况。通过两方面内容阐述无凹槽壁的预制预应力叠合梁柱节点的可行性.
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关键词
无凹槽
壁
预制预应力叠合梁
YK可调钢筋组合接头
下载PDF
职称材料
无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管正向电流输运机制
被引量:
4
2
作者
吴昊
康玄武
+6 位作者
杨兵
张静
赵志波
孙跃
郑英奎
魏珂
闫江
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第6期426-432,共7页
研究了无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管(SBD)的正向电流输运机制。分别采用Ni/Au和TiN作为阳极金属材料制备了无凹槽AlGaN/GaN SBD,对比了两种SBD的直流特性。并通过测量器件的变温I-V特性,研究了器件的正向电流输运机制。结果表明,TiN...
研究了无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管(SBD)的正向电流输运机制。分别采用Ni/Au和TiN作为阳极金属材料制备了无凹槽AlGaN/GaN SBD,对比了两种SBD的直流特性。并通过测量器件的变温I-V特性,研究了器件的正向电流输运机制。结果表明,TiN-SBD(0.95 V@1 mA·mm^(-1))与Ni/Au-SBD(1.15 V@1 mA·mm^(-1))相比实现了更低的开启电压,从而改善了正向导通特性。研究发现两种SBD的势垒高度和理想因子都强烈依赖于环境温度,通过引入势垒高度的高斯分布模型解释了这种温度依赖性,验证了正向电流输运机制为与势垒高度不均匀分布相关的热电子发射机制。
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关键词
ALGAN/GAN
肖特基势垒二极管(SBD)
正向电流输运机制
TIN
势垒高度
无凹槽
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职称材料
题名
一种无凹槽壁的预制预应力叠合梁柱节点施工技术研究
1
作者
张明明
张瑜开
机构
南京大地建设集团有限责任公司
出处
《江苏建筑》
2024年第4期81-85,共5页
文摘
文章从试验研究和现场实践两个方面,阐述无凹槽壁的预制预应力叠合梁柱节点的应用情况。在试验研究方面,通过对3个试件的低周反复试验,研究试件的破坏形态、耗能、延性和强度指标,并提出试验结论;在现场实践方面,通过具体工程案例,阐述无凹槽壁的预制预应力叠合梁柱节点在节点优化设计、钢筋连接、模板安装等方面的实施情况。通过两方面内容阐述无凹槽壁的预制预应力叠合梁柱节点的可行性.
关键词
无凹槽
壁
预制预应力叠合梁
YK可调钢筋组合接头
Keywords
no groove walls
prefabricated prestressed composite beams
YK adjustable steel bar combination joint
分类号
TU756.4 [建筑科学—建筑技术科学]
下载PDF
职称材料
题名
无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管正向电流输运机制
被引量:
4
2
作者
吴昊
康玄武
杨兵
张静
赵志波
孙跃
郑英奎
魏珂
闫江
机构
北方工业大学信息学院
中国科学院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第6期426-432,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61804172)
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000)
+1 种基金
科技部专项
北京市自然科学基金资助项目(4182021)
文摘
研究了无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管(SBD)的正向电流输运机制。分别采用Ni/Au和TiN作为阳极金属材料制备了无凹槽AlGaN/GaN SBD,对比了两种SBD的直流特性。并通过测量器件的变温I-V特性,研究了器件的正向电流输运机制。结果表明,TiN-SBD(0.95 V@1 mA·mm^(-1))与Ni/Au-SBD(1.15 V@1 mA·mm^(-1))相比实现了更低的开启电压,从而改善了正向导通特性。研究发现两种SBD的势垒高度和理想因子都强烈依赖于环境温度,通过引入势垒高度的高斯分布模型解释了这种温度依赖性,验证了正向电流输运机制为与势垒高度不均匀分布相关的热电子发射机制。
关键词
ALGAN/GAN
肖特基势垒二极管(SBD)
正向电流输运机制
TIN
势垒高度
无凹槽
Keywords
AlGaN/GaN
Schottky barrier diode ( SBD)
forward current transport mechanism
TiN
potential barrier height
recess-free
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种无凹槽壁的预制预应力叠合梁柱节点施工技术研究
张明明
张瑜开
《江苏建筑》
2024
0
下载PDF
职称材料
2
无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管正向电流输运机制
吴昊
康玄武
杨兵
张静
赵志波
孙跃
郑英奎
魏珂
闫江
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
4
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职称材料
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