无压烧结制备Al_2O_3/SiC纳米复合陶瓷

用沉淀法包裹微米级SiC颗粒,通过常压、埋烧制备Al_2O_3/SiC纳米复合陶瓷。通过XRD、TG和 SEM等分析了煅烧和烧结过程中相组成的变化、烧成收缩和显微结构。结果表明:利用SiC 粉埋烧及碳粉制造还原气氛,含8wt％SiC(平均粒径为5mm)的复合粉末经800℃煅烧、成型,试样于1550℃,2h烧结,可制备Al_2O_3/SiC纳米复合陶瓷,其相对体积密度达95.2％,在烧结过程中由SiC氧化形成的无定形SiO_2及与基质氧化铝反应形成的莫来石前躯体可大大促进烧结。