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无掩模激光干涉光刻技术研究
被引量:
4
1
作者
冯伯儒
张锦
+4 位作者
宗德蓉
蒋世磊
苏平
陈宝钦
陈芬
《微纳电子技术》
CAS
2002年第3期39-42,共4页
介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。
关键词
无掩模
激光干涉
光刻
技术
微
光刻
技术
干涉
光刻
场发射显示器
下载PDF
职称材料
下一代光刻技术
被引量:
4
2
作者
佟军民
胡松
余国彬
《电子工业专用设备》
2005年第11期27-33,共7页
介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。
关键词
下一代
光刻
技术
浸没式
光刻
技术
极端远紫外
光刻
技术
纳米压印
光刻
技术
无掩模光刻技术
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职称材料
下一代光刻技术
3
作者
仲冠丞
《科技与企业》
2015年第13期210-210,共1页
本文从多方面对下一代光刻技术做了介绍和分析,重点描述了纳米压印光刻技术、极紫外光刻技术、无掩模光刻技术、原子光刻技术、电子束光刻技术等的原理、现状和优缺点,并展望了未来数十年的主流光刻技术。
关键词
下一代
光刻
技术
纳米压印
光刻
技术
极紫外
光刻
技术
无掩模光刻技术
原子
光刻
技术
电子束
光刻
技术
下载PDF
职称材料
还原氧化石墨烯/Au复合微电极阵列的制备及光电特性
被引量:
2
4
作者
季津海
闻雪梅
+1 位作者
陈洋
毕宴钢
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期1826-1832,共7页
利用双光束干涉-无掩模光刻技术制备了周期性氧化石墨烯微结构阵列,利用肼蒸气对氧化石墨烯脱氧还原,然后蒸镀超薄Au薄膜制备了还原氧化石墨烯/Au复合微电极阵列(R-GO/Au).对复合电极在可见光波段的透过率和表面电阻进行了表征,结果表明...
利用双光束干涉-无掩模光刻技术制备了周期性氧化石墨烯微结构阵列,利用肼蒸气对氧化石墨烯脱氧还原,然后蒸镀超薄Au薄膜制备了还原氧化石墨烯/Au复合微电极阵列(R-GO/Au).对复合电极在可见光波段的透过率和表面电阻进行了表征,结果表明,R-GO/Au复合微电极阵列具有良好的光电特性.将R-GO/Au复合微电极阵列引入到有机太阳电池中作为半透明阳极,器件的光电转化效率可达3.43%.
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关键词
还原氧化石墨烯/Au复合电极
微电极阵列
双光束干涉-
无掩模光刻技术
肼蒸气还原
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职称材料
电子工业专用设备第34卷(2005)目次总汇编
5
《电子工业专用设备》
2005年第12期65-69,共5页
关键词
半导体封装
无掩模光刻技术
电子工业专用设备
目次
下载PDF
职称材料
题名
无掩模激光干涉光刻技术研究
被引量:
4
1
作者
冯伯儒
张锦
宗德蓉
蒋世磊
苏平
陈宝钦
陈芬
机构
中国科学院光电技术研究所
中国科学院微电子中心
四川师范学院物理系
出处
《微纳电子技术》
CAS
2002年第3期39-42,共4页
基金
国家自然科学基金(60076019)资助
文摘
介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。
关键词
无掩模
激光干涉
光刻
技术
微
光刻
技术
干涉
光刻
场发射显示器
Keywords
optical microlithography
interferometric lithography
field emission display
mi -crolithography without masks
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
下一代光刻技术
被引量:
4
2
作者
佟军民
胡松
余国彬
机构
中国科学院光电技术研究所
出处
《电子工业专用设备》
2005年第11期27-33,共7页
文摘
介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。
关键词
下一代
光刻
技术
浸没式
光刻
技术
极端远紫外
光刻
技术
纳米压印
光刻
技术
无掩模光刻技术
Keywords
The Next Generation Lithography
Immersion Lithography: Extreme Ultraviolet Lithography
Nanoimprint Lithography
Maskless Lithography
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
下一代光刻技术
3
作者
仲冠丞
机构
青岛杰生电气有限公司
出处
《科技与企业》
2015年第13期210-210,共1页
文摘
本文从多方面对下一代光刻技术做了介绍和分析,重点描述了纳米压印光刻技术、极紫外光刻技术、无掩模光刻技术、原子光刻技术、电子束光刻技术等的原理、现状和优缺点,并展望了未来数十年的主流光刻技术。
关键词
下一代
光刻
技术
纳米压印
光刻
技术
极紫外
光刻
技术
无掩模光刻技术
原子
光刻
技术
电子束
光刻
技术
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
还原氧化石墨烯/Au复合微电极阵列的制备及光电特性
被引量:
2
4
作者
季津海
闻雪梅
陈洋
毕宴钢
机构
吉林大学电子科学与工程学院
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期1826-1832,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:61322402)资助~~
文摘
利用双光束干涉-无掩模光刻技术制备了周期性氧化石墨烯微结构阵列,利用肼蒸气对氧化石墨烯脱氧还原,然后蒸镀超薄Au薄膜制备了还原氧化石墨烯/Au复合微电极阵列(R-GO/Au).对复合电极在可见光波段的透过率和表面电阻进行了表征,结果表明,R-GO/Au复合微电极阵列具有良好的光电特性.将R-GO/Au复合微电极阵列引入到有机太阳电池中作为半透明阳极,器件的光电转化效率可达3.43%.
关键词
还原氧化石墨烯/Au复合电极
微电极阵列
双光束干涉-
无掩模光刻技术
肼蒸气还原
Keywords
Reduced-graphene-oxide/Au composite electrode
Microelectrode array
Two beam interference holographic lithography technique
Hydrazine vapor reduction
分类号
O646 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
电子工业专用设备第34卷(2005)目次总汇编
5
出处
《电子工业专用设备》
2005年第12期65-69,共5页
关键词
半导体封装
无掩模光刻技术
电子工业专用设备
目次
分类号
TN [电子电信]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
无掩模激光干涉光刻技术研究
冯伯儒
张锦
宗德蓉
蒋世磊
苏平
陈宝钦
陈芬
《微纳电子技术》
CAS
2002
4
下载PDF
职称材料
2
下一代光刻技术
佟军民
胡松
余国彬
《电子工业专用设备》
2005
4
下载PDF
职称材料
3
下一代光刻技术
仲冠丞
《科技与企业》
2015
0
下载PDF
职称材料
4
还原氧化石墨烯/Au复合微电极阵列的制备及光电特性
季津海
闻雪梅
陈洋
毕宴钢
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
下载PDF
职称材料
5
电子工业专用设备第34卷(2005)目次总汇编
《电子工业专用设备》
2005
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职称材料
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