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无掩模激光干涉光刻技术研究 被引量:4
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作者 冯伯儒 张锦 +4 位作者 宗德蓉 蒋世磊 苏平 陈宝钦 陈芬 《微纳电子技术》 CAS 2002年第3期39-42,共4页
介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。
关键词 无掩模激光干涉光刻技术 光刻技术 干涉光刻 场发射显示器
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下一代光刻技术 被引量:4
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作者 佟军民 胡松 余国彬 《电子工业专用设备》 2005年第11期27-33,共7页
介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。
关键词 下一代光刻技术 浸没式光刻技术 极端远紫外光刻技术 纳米压印光刻技术 无掩模光刻技术
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下一代光刻技术
3
作者 仲冠丞 《科技与企业》 2015年第13期210-210,共1页
本文从多方面对下一代光刻技术做了介绍和分析,重点描述了纳米压印光刻技术、极紫外光刻技术、无掩模光刻技术、原子光刻技术、电子束光刻技术等的原理、现状和优缺点,并展望了未来数十年的主流光刻技术。
关键词 下一代光刻技术 纳米压印光刻技术 极紫外光刻技术 无掩模光刻技术 原子光刻技术 电子束光刻技术
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还原氧化石墨烯/Au复合微电极阵列的制备及光电特性 被引量:2
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作者 季津海 闻雪梅 +1 位作者 陈洋 毕宴钢 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1826-1832,共7页
利用双光束干涉-无掩模光刻技术制备了周期性氧化石墨烯微结构阵列,利用肼蒸气对氧化石墨烯脱氧还原,然后蒸镀超薄Au薄膜制备了还原氧化石墨烯/Au复合微电极阵列(R-GO/Au).对复合电极在可见光波段的透过率和表面电阻进行了表征,结果表明... 利用双光束干涉-无掩模光刻技术制备了周期性氧化石墨烯微结构阵列,利用肼蒸气对氧化石墨烯脱氧还原,然后蒸镀超薄Au薄膜制备了还原氧化石墨烯/Au复合微电极阵列(R-GO/Au).对复合电极在可见光波段的透过率和表面电阻进行了表征,结果表明,R-GO/Au复合微电极阵列具有良好的光电特性.将R-GO/Au复合微电极阵列引入到有机太阳电池中作为半透明阳极,器件的光电转化效率可达3.43%. 展开更多
关键词 还原氧化石墨烯/Au复合电极 微电极阵列 双光束干涉-无掩模光刻技术 肼蒸气还原
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电子工业专用设备第34卷(2005)目次总汇编
5
《电子工业专用设备》 2005年第12期65-69,共5页
关键词 半导体封装 无掩模光刻技术 电子工业专用设备 目次
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