基于金属辅助硅化学刻蚀发展了一种无掩模选择性区域制备硅纳米线阵列的方法,并利用该方法成功制备了图形化的硅纳米线阵列.扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)分析表明,所制备的硅纳米线阵列是高质量的多孔微纳米结构,...基于金属辅助硅化学刻蚀发展了一种无掩模选择性区域制备硅纳米线阵列的方法,并利用该方法成功制备了图形化的硅纳米线阵列.扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)分析表明,所制备的硅纳米线阵列是高质量的多孔微纳米结构,并利用拉曼光谱仪研究了室温下硅纳米线阵列的光致发光特性.结果表明,硅纳米线阵列可实现有效的光发射,发光波峰为663 nm.该方法工艺简单、有效,可潜在地应用于构筑硅基光电集成器件.展开更多
文摘基于金属辅助硅化学刻蚀发展了一种无掩模选择性区域制备硅纳米线阵列的方法,并利用该方法成功制备了图形化的硅纳米线阵列.扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)分析表明,所制备的硅纳米线阵列是高质量的多孔微纳米结构,并利用拉曼光谱仪研究了室温下硅纳米线阵列的光致发光特性.结果表明,硅纳米线阵列可实现有效的光发射,发光波峰为663 nm.该方法工艺简单、有效,可潜在地应用于构筑硅基光电集成器件.
