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无掩模腐蚀工艺对硅电容力敏结构的改进 被引量：3
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作者 李昕欣 鲍敏杭 《传感技术学报》 CAS CSCD 1996年第1期1-6,共6页
提出并利用一种新颖的无掩模腐蚀技术,针对以往硅体微机械加工的电容力敏器件特性的缺陷,从结构入手加以改进.分别制作了加速度对称梁-质量块结构和单边推挽压力结构,并取得了预期的结果.文中给出了理论分析和实验验证.
关键词 力敏传感器 无掩蔽腐蚀工艺 硅电容式 传感器
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