无斜率选择的分子束外延方程两阶能量稳定的线性格式

针对无斜率选择的分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)模型,考虑了一种新的正则项设计和非线性项外推,得到了一种新的线性求解和能量稳定的数值格式,并从理论上证明了这种格式具有两阶时间精度.数值实验验证了格式的误差精度和能量下降等性质.

GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究

用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb GaAs单量子阱的光学性质 ,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类 )和间接 (Ⅱ类 )跃迁 .它们表现出不同的特性 :Ⅰ类跃迁具有局域化特性 ,其发光能量不随激发光能量而变 ;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移 ,也随激发光能量的增加而蓝移 ,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间 ,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释 ,这也是空间间接跃迁的典型特性 .还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb GaAs能带排列的Ⅱ类特性 ,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb GaAs异质结的带阶系数 .

材料制备工艺

Y2000-62067-337 0012795通过分子束外延生长掺铍 InGaAs/AlGaAs 应变量子阱结构=Be-doped InGaAs/AlGaAs strained quantumwell structures grown by molecular beam epitaxy[会,英]/Zhang,D.H.& Shi.W.//1998 IEEE Interna-tional Conference on Optoelectronic and MicroelectronicMaterials and Devices.—337～339(EC)