聚合物在无显影气相光刻工艺中的作用

研究了聚合物在无显影气相光刻过程中的作用，由此解释了无显影气相光刻过程中曝光区和非曝光区高腐蚀速度差，高分辨率和高腐蚀纵宽比的原因．

光致诱蚀无显影气相光刻（DFVP）作用机理及其应用

大功率半导体器件是机电一体化不可缺少的基础元件，光致诱蚀无显影气相ＤＦＶＰ光刻具有分辨率高、针孔密度低、光刻流程短、设备简单、经济上节约等优点。因此将ＤＦＶＰ运用于晶闸管器件的生产具有重要的意义。研究的技术关键是要解决厚ＳｉＯ＿２层的刻蚀、刻蚀的曝光量及速度问题。本课题对ＤＦＶＰ机理作了进一步研究，从而研究了两种新的光致诱蚀剂；已大大缩短曝光时间（约１分钟），并能刻蚀含杂质镓且厚达１．４μｍ的ＳｉＯ＿２层；对腐蚀设备进行了大的改进，使其能适应生产的需要。

无显影气相光刻(DFVP)研究的进展

无显影气相光刻技术是我国在 1980年发明的一种独特的光刻技术 ,具有不需要显影 ,分辨率高等优点。但它的机理并不清楚。本文介绍十多年来在无显影气相光刻机理研究方面的成果。实验证明 ,无显影气相光刻是以光致光刻胶膜内的诱蚀剂浓度差为基础的方法 ;而传统的光刻方法是基于光致光刻胶膜溶解度差的方法。由于两者的光刻原理不同 ,导致了他们间光刻效果和应用范围之区别。所得机理研究之结果可以解释无显影气相光刻中的各种独特的现象并可指导无显影气相光刻技术的发展 。

无显影气相光刻在大功率晶闸管元件生产中的应用

由于无显影气相光刻（ＤＦＶＰ）具有分辨率高、针孔密度低、光刻流程短、设备简单、成本低等优点，因此将其应用于晶闸管元件的生产具有非常重要的实际意义．本文在系统地研究ＤＦＶＰ机理的基础上，提出了新的配方，解决了刻蚀厚二氧化硅（ＳｉＯ２）层的关键技术问题。

无显影气相光刻机理研究

无显影气相光刻是我国首先发现的一项干法腐蚀技术。通过对其机理的不断研究发现，添加在光刻胶中的添加剂促进HF气体在高温下离解得到活性氟阴离子是刻蚀反应得以发生的首要条件和关键；曝光后成膜物结构变化对添加在其中的小分子诱蚀剂的栅栏作用是在曝光区与非曝光区形成反差的条件；图形的高分辨率与高纵宽比也得到了合理的解释。在机理研究的过程中，新的无显影气相光刻的方法（如高分子诱蚀剂及超强酸作为诱蚀剂的方法）得以发展及研究。

远紫外无显影光刻的催化剂及工艺探讨

我们研制成了一种新型催化剂,它是由普通小分子有机化合物(如甲基紫等)和CMPS树脂。一起溶解在一定的溶剂中配制而成。用此催化剂做了远紫外曝光的各种腐蚀特性的实验,获得了满意的结果。

溶胶-凝胶法制备二氧化硅膜及其无显影气相光刻

为使无显影气相光刻应用于非硅衬底材料的刻蚀，扩宽其应用范围，研究了无显影气相光刻在溶胶 凝胶法制备的二氧化硅膜中的应用。通过对溶胶 凝胶化学过程的分析，考察了凝胶二氧化硅薄膜制备过程中的几个重要工艺参数，制备了结构均匀的二氧化硅薄膜。并将无显影气相光刻的方法应用于这种二氧化硅膜的刻蚀，通过优化后的光刻工艺参数得到了反差明显的光刻图形。

193nm光刻胶研究现状

第23届SPIE微细光刻学术会议于1998年2月22日至27日在美国加利福尼亚州Sa-ta clara市召开。与会者有1500余人,发表论文约500篇。分会场有:①新的微细刻蚀技术,②光刻技术的计量、检验和程序控制,③抗蚀剂进展,④光学光刻技术。笔者以"无显影气相光刻在蚀剂氮化硅上的应用"一文参加了"新的微细刻蚀技术"的分会。

化工

一种无显影气相光刻胶,属于光刻技术领域。本发明光刻胶由成膜物质,光敏剂、具有光敏性的刻蚀促进剂和溶剂组成。