Y2000-62027-12 0005483利用亚0.2μm 过程的适用于高密度 DRAM 的23μC/μm<sup>2</sup>TA<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/固化硅电容器研究=A study of Ta<sub>2</sub>O<sub>5<...Y2000-62027-12 0005483利用亚0.2μm 过程的适用于高密度 DRAM 的23μC/μm<sup>2</sup>TA<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/固化硅电容器研究=A study of Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/rugged Si Capacitor of 23μC/μm<sup>2</sup> applied to high-densityDRAMs using sub-0.2μm process[会,英]/Ohji,Y.&展开更多
文摘Y2000-62027-12 0005483利用亚0.2μm 过程的适用于高密度 DRAM 的23μC/μm<sup>2</sup>TA<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/固化硅电容器研究=A study of Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/rugged Si Capacitor of 23μC/μm<sup>2</sup> applied to high-densityDRAMs using sub-0.2μm process[会,英]/Ohji,Y.&