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无氧溅射方法制备OLED的ITO透明电极 被引量：4
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作者 姜文龙 段羽 刘式墉 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期129-131,共3页
采用氧化铟锡(ITO)合金材料作为靶材,通过射频磁控溅射制备ITO膜。将获得的ITO膜应用于结构为ITO/m-MTDATA(30nm)/NPB(20nm)/Alq3(50nm)LiF(0.8nm)/Al(100nm)的有机电致发光器件(OLED),得到了最大亮度为11560cd/m2(电压为25V)、最大效率... 采用氧化铟锡(ITO)合金材料作为靶材,通过射频磁控溅射制备ITO膜。将获得的ITO膜应用于结构为ITO/m-MTDATA(30nm)/NPB(20nm)/Alq3(50nm)LiF(0.8nm)/Al(100nm)的有机电致发光器件(OLED),得到了最大亮度为11560cd/m2(电压为25V)、最大效率为2.52cd/A(电压为14V)的结果。为了获得双面发光,制作了结构为ITO/m-MTDATA(30nm)/NPB(20nm)/Alq3(50nm)LiF(0.8nm)/Al(20nm)/ITO(50nm)的器件,其阳极出光的最大亮度为14460cd/m2(电压为18V)、最大效率为2.16cd/A(电压为12V),阴极出光的最大亮度为1263cd/m2(电压为19V)、最大效率为0.26cd/A(电压为16V)。 展开更多
关键词 无氧溅射 氧化铟锡(ITO) 有机电致发光器件(OLED) 两面出光器件
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