LaCl_3:Ce^(3+)晶体生长用无水氯化镧的制备

本文报道了LaC l3:Ce3+晶体生长用无水氯化镧的氯化焙烧脱水制备方法。应用差热/热重分析研究了LaC l3.7H2O的脱水过程,以寻求避免发生水解反应的有效途径;以LaC l3.7H2O为初始原料,采用氯化氢保护下的焙烧脱水处理进行无水氯化镧的制备,通过系列实验掌握了氯化焙烧脱水处理的最佳工艺条件;为验证所制备无水氯化镧的纯度,采用该原料进行了LaC l3:Ce3+单晶生长。结果表明,在氯化焙烧脱水处理过程中,保持通入足量干燥氯化氢气体,控制焙烧温度于220~230℃,经过6~7h焙烧处理,能够制备出较高纯度的无水氯化镧,所获原料可成功地用于生长无色透明的LaC l3:Ce3+单晶。

无水氯化镧铈晶体的制备(英文)

用氯化铵氯化法制备出高纯无水氯化镧(铈)粉料,并以其为原料,用石英坩埚下降法生长出无色透明的掺3价铈的氯化镧(LaCl3:Ce)晶体。经测试,LaCl3:Ce样品的透过率达到80%,用137Cs发射源发射的γ射线激发LaCl3:Ce样品,得到的能量分辨率约为3.5%,晶体的光产额约为(6 510±50)photon-electrons/MeV,与碘化钠(铊)晶体(NaI:Tl)相当。晶体的光学性能和闪烁性能表明:采用氯化铵氯化法制备的无水氯化镧(铈)粉料可直接用于晶体生长,而且生长出了高质量的LaCl:Ce晶体。